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IRGS4B60KD1

更新时间： 2024-02-18 01:29:55
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英飞凌 - INFINEON 晶体二极管双极型晶体管栅超快软恢复二极管快速软恢复二极管
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描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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PD - 94607A  
IRGB4B60KD1  
IRGS4B60KD1  
IRGSL4B60KD1  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH  
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE  
C
VCES = 600V  
Features  
• Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.  
IC = 7.6A, TC=100°C  
tsc > 10µs, TJ=150°C  
VCE(on) typ. = 2.1V  
• 10µs Short Circuit Capability.  
G
• Square RBSOA.  
• Positive VCE (on) Temperature Coefficient.  
• Maximum Junction Temperature rated at 175°C.  
E
n-channel  
Benefits  
• Benchmark Efficiency for Motor Control.  
• Rugged Transient Performance.  
• Low EMI.  
• Excellent Current Sharing in Parallel Operation.  
D2Pak  
TO-262  
TO-220  
IRGS4B60KD1 IRGSL4B60KD1  
IRGB4B60KD1  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
Collector-to-Emitter Voltage  
600  
V
VCES  
IC @ TC = 25°C  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulse Collector Current (Ref.Fig.C.T.5)  
Clamped Inductive Load current  
Diode Continuous Forward Current  
Diode Continuous Forward Current  
Diode Maximum Forward Current  
Gate-to-Emitter Voltage  
11  
7.6  
A
IC @ TC = 100°C  
ICM  
22  
22  
ILM  
IF @ TC = 25°C  
11  
6.7  
IF @ TC = 100°C  
IFM  
22  
±20  
V
VGE  
PD @ TC = 25°C Maximum Power Dissipation  
63  
W
Maximum Power Dissipation  
Operating Junction and  
31  
PD @ TC = 100°C  
TJ  
-55 to +175  
Storage Temperature Range  
Storage Temperature Range, for 10 sec.  
°C  
TSTG  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)  
Thermal / Mechanical Characteristics  
Parameter  
Min.  
–––  
–––  
–––  
–––  
–––  
–––  
Typ.  
–––  
Max.  
2.4  
Units  
Junction-to-Case- IGBT  
°C/W  
Rθ  
JC  
RθJC  
Junction-to-Case- Diode  
Case-to-Sink, flat, greased surface  
Junction-to-Ambient  
–––  
6.1  
0.50  
–––  
–––  
62  
Rθ  
CS  
RθJA  
–––  
40  
Rθ  
Junction-to-Ambient (PCB Mount, steady state)  
Weight  
JA  
Wt  
1.44  
–––  
g
www.irf.com  
1
05/28/03  
1234567...15

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