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IRGS30B60KTRRPBF

更新时间： 2023-12-18 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 电动机控制栅晶体管
页数 文件大小 规格书
14页 380K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3

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IRGS30B60KTRRPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.06外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：75 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE最大降落时间（tf）：42 ns
门极发射器阈值电压最大值：5.5 V门极-发射极最大电压：20 V
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：370 W
认证状态：Not Qualified最大上升时间（tr）：39 ns
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：MOTOR CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：237 ns标称接通时间 (ton)：74 ns
Base Number Matches：1

IRGS30B60KTRRPBF 数据手册

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PD - 97003  
IRGB30B60KPbF  
IRGS30B60KPbF  
IRGSL30B60KPbF  
VCES = 600V  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR  
C
Features  
IC = 50A, TC=100°C  
at TJ=175°C  
• Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology  
• 10µs Short Circuit Capability  
G
• Square RBSOA  
tsc > 10µs, TJ=150°C  
VCE(on) typ. = 1.95V  
• Positive VCE (on) Temperature Coefficient  
• Maximum Junction Temperature rated at 175°C  
• Lead-Free  
E
n-channel  
Benefits  
• Benchmark Efficiency for Motor Control  
• Rugged Transient Performance  
• Low EMI  
• Excellent Current Sharing in Parallel Operation  
D2Pak  
IRGS30B60KPbF IRGSL30B60KPbF  
TO-262  
TO-220AB  
IRGB30B60KPbF  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
600  
Units  
V
Collector-to-Emitter Voltage  
VCES  
78  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulse Collector Current (Ref.Fig.C.T.5)  
Clamped Inductive Load current  
IC @ TC = 25°C  
50  
A
IC @ TC = 100°C  
120  
ICM  
120  
ILM  
RMS Isolation Voltage, Terminal to Case, t=1 min.  
Gate-to-Emitter Voltage  
2500  
±20  
V
VISOL  
VGE  
Maximum Power Dissipation  
370  
W
PD @ TC = 25°C  
Maximum Power Dissipation  
180  
PD @ TC = 100°C  
Operating Junction and  
-55 to +175  
TJ  
Storage Temperature Range  
°C  
TSTG  
Soldering Temperature, for 10 sec.  
Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)  
10 lbf·in (1.1 N·m)  
Thermal / Mechanical Characteristics  
Parameter  
Min.  
–––  
–––  
–––  
–––  
–––  
Typ.  
–––  
Max.  
0.41*  
–––  
62  
Units  
°C/W  
Rθ  
Rθ  
Rθ  
Rθ  
Junction-to-Case- IGBT  
JC  
CS  
JA  
JA  
Case-to-Sink, flat, greased surface  
0.50  
–––  
Junction-to-Ambient, typical socket mount  
Junction-to-Ambient (PCB Mount, Steady State)  
–––  
40  
Weight  
1.44  
–––  
g
Wt  
* RθJC (end of life) = 0.65°C/W. This is the maximum measured value after 1000 temperature cycles from -55 to 150°C  
and is accounted for by the physical wearout of the die attach medium.  
www.irf.com  
1
05/17/05  
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