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IRGS4056DPBF

更新时间： 2024-01-29 14:34:29
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体二极管双极型晶体管栅超快软恢复二极管快速软恢复二极管
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11页 405K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRGS4056DPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, D2PAK-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：8.4
最大集电极电流 (IC)：24 A集电极-发射极最大电压：600 V
最大降落时间（tf）：31 ns门极发射器阈值电压最大值：6.5 V
门极-发射极最大电压：30 VJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2湿度敏感等级：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：140 W
认证状态：Not Qualified最大上升时间（tr）：24 ns
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

IRGS4056DPBF 数据手册

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PD - 96197  
IRGS4056DPbF  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH  
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE  
Features  
• Low VCE (ON) Trench IGBT Technology  
C
VCES = 600V  
• Low switching losses  
• Maximum Junction temperature 175 °C  
• 5 µS short circuit SOA  
IC = 12A, TC = 100°C  
• SquareRBSOA  
G
tSC ≥ 5µs, TJ(max) = 175°C  
• 100% of the parts tested for 4X rated current (ILM  
• Positive VCE (ON) Temperature co-efficient  
• Ultra fast soft Recovery Co-Pak Diode  
• Tightparameterdistribution  
)
E
VCE(on) typ. = 1.55V  
n-channel  
• LeadFreePackage  
Benefits  
C
• High Efficiency in a wide range of applications  
• Suitable for a wide range of switching frequencies due to  
Low VCE (ON) and Low Switching losses  
• RuggedtransientPerformanceforincreasedreliability  
• ExcellentCurrentsharinginparalleloperation  
• Low EMI  
E
C
G
D2Pak  
G
C
E
Gate  
Collector  
Emitter  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
VCES  
Collector-to-Emitter Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulse Collector Current  
600  
V
IC @ TC = 25°C  
24  
IC @ TC = 100°C  
12  
48  
ICM  
Clamped Inductive Load Current  
ILM  
48  
A
IF @ TC = 25°C  
Diode Continous Forward Current  
Diode Continous Forward Current  
Diode Maximum Forward Current  
24  
IF @ TC = 100°C  
12  
IFM  
48  
VGE  
Continuous Gate-to-Emitter Voltage  
Transient Gate-to-Emitter Voltage  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
Operating Junction and  
±20  
±30  
140  
70  
V
PD @ TC = 25°C  
W
PD @ TC = 100°C  
TJ  
-55 to +175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 sec.  
Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw  
°C  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)  
10 lbf·in (1.1 N·m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Min.  
–––  
–––  
–––  
–––  
Typ.  
–––  
–––  
0.50  
80  
Max.  
1.07  
3.66  
–––  
Units  
°C/W  
RθJC (IGBT)  
RθJC (Diode)  
RθCS  
Thermal Resistance Junction-to-Case-(each IGBT)  
Thermal Resistance Junction-to-Case-(each Diode)  
Thermal Resistance, Case-to-Sink (flat, greased surface)  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (typical socket mount)  
–––  
1
www.irf.com  
11/07/08  
1234567...11

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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