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IRGS15B60KPBF

更新时间： 2024-10-01 20:57:39

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英飞凌 - INFINEON		电动机控制栅晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	262K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 31A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3

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IRGS15B60KPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.57
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	31 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
最大降落时间（tf）：	36 ns	门极发射器阈值电压最大值：	5.5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	208 W	认证状态：	Not Qualified
最大上升时间（tr）：	22 ns	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	231 ns
标称接通时间 (ton)：	52 ns	Base Number Matches：	1

IRGS15B60KPBF 数据手册

PD - 96358

IRGS15B60KPbF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features

V_CES= 600V

• Low VCE (on) Non Punch Through IGBT

Technology.

I_C= 15A, T_C=100°C

• 10µs Short Circuit Capability.

• Square RBSOA.

t_sc> 10µs, T_J=150°C

• Positive VCE (on) Temperature Coefficient.

• Lead-Free

n-channel

V_CE(on)typ. = 1.8V

Benefits

• Benchmark Efficiency for Motor Control.

• Rugged Transient Performance.

• Low EMI.

• Excellent Current Sharing in Parallel Operation.

D²Pak

IRGS15B60KPbF

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

V_CES

Collector-to-Emitter Voltage

600

I_C@ T_C= 25°C

Continuous Collector Current

I_C@ T_C= 100°C

Continuous Collector Current

I_CM

Pulse Collector Current Vge = 15V

Clamped Inductive Load Current Vge = 20V

I_LM

V_GE

Continuous Gate-to-Emitter Voltage

Maximum Power Dissipation

Operating Junction and

±20

P_D@ T_C= 25°C

208

P_D@ T_C= 100°C

T_J

-55 to +150

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 sec.

°C

300 (0.063 in. (1.6mm) from case)

Thermal Resistance

Parameter

Min.

Typ.

Max.

Units

R_θ(IGBT)

Junction-to-Case-IGBT

–––

0.5

0.6

–––

°C/W

R_θ

Case-to-Sink (flat, greased surface)

Junction-to-Ambient (PCB Mount steady state)

Weight

R_θ

–––

1.44

–––

g (oz)

www.irf.com

02/22/11

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IRGS15B60KTRRPBF	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 31A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, LEAD FREE, PLASTIC,
IRGS30B60	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGS30B60K	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGS30B60KPBF	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, LEAD FREE, PLASTIC,
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IRGS30B60KTRRPBF	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, LEAD FREE, PLASTIC,
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