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IRGS30B60K

更新时间： 2024-09-30 22:07:03

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管栅
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13页	328K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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IRGS30B60K 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.06	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	75 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e0	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	225
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	237 ns
标称接通时间 (ton)：	74 ns	Base Number Matches：	1

IRGS30B60K 数据手册

PD - 94799

IRGB30B60K

IRGS30B60K

IRGSL30B60K

V_CES= 600V

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features

I_C= 50A, T_C=100°C

at T_J=175°C

• Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.

• 10µs Short Circuit Capability.

• Square RBSOA.

t_sc> 10µs, T_J=150°C

V_CE(on)typ. = 1.95V

• Positive VCE (on) Temperature Coefficient.

• Maximum Junction Temperature rated at 175°C.

n-channel

Benefits

• Benchmark Efficiency for Motor Control.

• Rugged Transient Performance.

• Low EMI.

• Excellent Current Sharing in Parallel Operation.

D²Pak

IRGS30B60K

TO-262

IRGSL30B60K

TO-220AB

IRGB30B60K

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

600

Units

Collector-to-Emitter Voltage

V_CES

I_C@ T_C= 25°C

Continuous Collector Current

Pulse Collector Current (Ref.Fig.C.T.5)

Clamped Inductive Load current

I_C@ T_C= 100°C

I_CM

120

I_LM

V_ISOL

V_GE

RMS Isolation Voltage, Terminal to Case, t=1 min.

Gate-to-Emitter Voltage

2500

±20

P_D@ T_C= 25°C Maximum Power Dissipation

370

Maximum Power Dissipation

Operating Junction and

180

P_D@ T_C= 100°C

T_J

-55 to +175

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 sec.

Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw

°C

T_STG

300 (0.063 in. (1.6mm) from case)

10 lbf·in (1.1 N·m)

Thermal / Mechanical Characteristics

Parameter

Min.

–––

Typ.

–––

Max.

0.41

–––

Units

°C/W

Junction-to-Case- IGBT

R_θ

R_θCS

Case-to-Sink, flat, greased surface

0.50

–––

Junction-to-Ambient, typical socket mount

Junction-to-Ambient (PCB Mount, Steady State)

R_θ

R_θJA

–––

Weight

1.44

–––

www.irf.com

10/8/03

12 3 4 5 6 7...13

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IRGS30B60KTRR	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, D2PAK-3
IRGS30B60KTRRPBF	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, LEAD FREE, PLASTIC,
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