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IRGS4045DTRRPbF

更新时间： 2024-02-23 16:46:42
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体二极管晶体管栅软恢复二极管快速软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
12页 322K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH UL TRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRGS4045DTRRPbF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.66最大集电极电流 (IC)：12 A
集电极-发射极最大电压：600 V最大降落时间（tf）：22 ns
门极发射器阈值电压最大值：6.5 V门极-发射极最大电压：20 V
湿度敏感等级：1最高工作温度：175 °C
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：77 W最大上升时间（tr）：22 ns
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：YES
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

IRGS4045DTRRPbF 数据手册

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IRGS4045DPbF  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH  
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE  
VCES = 600V  
C
C
IC 6.0A, TC = 100°C  
tsc > 5µs, Tjmax = 175°C  
VCE(on) typ. 1.7V  
E
G
G
D2-Pak  
E
IRGS4045DPbF  
n-channel  
Applications  
Appliance Motor Drive  
Inverters  
SMPS  
G
Gate  
C
E
Colletor  
Emitter  
Features  
Benefits  
High efficiency in a wide range of applications and  
switching frequencies  
Low VCE(ON) and switching losses  
Improved reliability due to rugged hard switching performance  
and higher power capability  
Square RBSOA and maximum junction temperature 175°C  
Positive VCE(ON) temperature coefficient and tighter  
distribution of parameters  
Excellent current sharing in parallel operation  
5μs short circuit SOA  
Ultra fast soft recovery copak diode  
Lead-free, RoHS compliant  
Enables short circuit protection scheme  
Performance optimized for motor drive operation  
Environmentally friendly  
Base part number  
Package Type  
Standard Pack  
Form  
Tube  
Orderable Part Number  
Quantity  
50  
IRGS4045DPbF  
D2Pak  
IRGS4045DPbF  
IRGS4045DTRLPbF  
IRGS4045DTRRPbF  
Tape and Reel Left  
Tape and Reel Right  
800  
800  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
600  
12  
Units  
VCES  
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage  
Continuous Collector Current  
V
IC@ TC = 25°C  
IC@ TC = 100°C  
ICM  
6.0  
18  
Continuous Collector Current  
Pulsed Collector Current, VGE = 15V  
Clamped Inductive Load Current, VGE = 20V  
Diode Continuous Forward Current  
Diode Continuous Forward Current  
Diode Maximum Forward Current  
24  
ILM  
A
8.0  
4.0  
IF@TC=25°C  
IF@TC=100°C  
IFM  
24  
± 20  
± 30  
77  
Continuous Gate-to-Emitter Voltage  
Transient Gate-to-Emitter Voltage  
Maximum Power Dissipation  
V
VGE  
PD @ TC =25°  
PD @ TC =100°  
TJ  
W
39  
Maximum Power Dissipation  
Operating Junction and  
°C  
-55 to + 175  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case - IGBT  
Min.  
–––  
–––  
–––  
–––  
Typ.  
–––  
–––  
0.5  
Max.  
1.9  
Units  
R  
JC  
Junction-to-Case - Diode  
R  
6.3  
JC  
°C/W  
R  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
–––  
40  
CS  
R  
Junction-to-Ambient (PCB Mountet, steady-state)  
–––  
JA  
*Qualification standards can be found at http://www.irf.com/  
1
www.irf.com © 2012 International Rectifier  
October 10, 2012  
1234567...12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 48A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, LEAD FREE
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