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IRGPS40B120UD

更新时间： 2024-02-28 08:30:39
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体二极管双极型晶体管电动机控制双极性晶体管栅超快软恢复二极管快速软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
12页 134K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRGPS40B120UD 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.15外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：80 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：SINGLEJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：357 ns
标称接通时间 (ton)：115 nsBase Number Matches：1

IRGPS40B120UD 数据手册

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PD-94240A  
IRGPS40B120UD  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH  
UltraFast Co-Pack IGBT  
VCES = 1200V  
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE  
C
Features  
• Non Punch Through IGBT Technology.  
• Low Diode VF.  
V
CE(on) typ. = 3.12V  
@ VGE = 15V,  
• 10µs Short Circuit Capability.  
• Square RBSOA.  
• Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics.  
• Positive VCE (on) Temperature Coefficient.  
• Super-247 Package.  
G
E
ICE = 40A, Tj=25°C  
N-channel  
Benefits  
• Benchmark Efficiency for Motor Control.  
• Rugged Transient Performance.  
• Low EMI.  
• Significantly Less Snubber Required  
• Excellent Current Sharing in Parallel Operation.  
Super-247™  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
1200  
80  
Units  
V
VCES  
C @ TC = 25°C  
Collector-to-Emitter Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulsed Collector Current  
I
IC @ TC = 100°C  
40  
ICM  
160  
160  
80  
A
ILM  
Clamped Inductive Load Current  
Diode Continuous Forward Current  
Diode Continuous Forward Current  
Diode Maximum Forward Current  
Gate-to-Emitter Voltage  
IF @ TC = 25°C  
IF @ TC = 100°C  
IFM  
40  
160  
± 20  
595  
238  
VGE  
V
PD @ TC = 25°C  
Maximum Power Dissipation  
W
PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation  
TJ  
Operating Junction and  
-55 to +150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 sec.  
°C  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case - IGBT  
Min.  
–––  
Typ.  
–––  
Max.  
0.20  
0.83  
–––  
40  
Units  
RθJC  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
Junction-to-Case - Diode  
–––  
–––  
°C/W  
Case-to-Sink, flat, greased surface  
Junction-to-Ambient, typical socket mount  
Recommended Clip Force  
–––  
0.24  
–––  
–––  
20 (2)  
–––  
–––  
–––  
–––  
–––  
N(kgf)  
g (oz)  
nH  
Wt  
Le  
Weight  
6.0 (0.21)  
13  
Internal Emitter Inductance (5mm from package)  
–––  
www.irf.com  
1
8/18/04  
1234567...12

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IRGPS40B120UD 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRG4PSH71KD INFINEON

完全替代

 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)ty
IRG4PSH71KDPBF INFINEON

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 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IKW40T120 INFINEON

功能相似

 LOW LOSS DUOPACK : IGBT IN TRENCH AND FIELDSTOP TECHNOLOGY WITH SOFT, FAST RECOVERY ANTI-P

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRGPS40B120UDP INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGPS40B120UDPBF INFINEON

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 		暂无描述
IRGPS60B120KDPPBF INFINEON

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IRGPS66160DPBF INFINEON

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