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Datasheet > 晶体管 > IGBT> IRGR3B60KD2TRLP
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IRGR3B60KD2TRLP

更新时间： 2024-02-07 21:28:50
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体二极管双极型晶体管栅超快软恢复二极管快速软恢复二极管
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14页 318K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRGR3B60KD2TRLP 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, DPAK-3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.04最大集电极电流 (IC)：7.8 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间（tf）：105 ns门极发射器阈值电压最大值：5.5 V
门极-发射极最大电压：20 VJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：52 W
认证状态：Not Qualified最大上升时间（tr）：22 ns
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：MOTOR CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：211 ns标称接通时间 (ton)：35 ns
Base Number Matches：1

IRGR3B60KD2TRLP 数据手册

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PD - 95036  
IRGR3B60KD2PbF  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH  
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE  
C
Features  
VCES = 600V  
• Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.  
• Low Diode VF.  
• 10µs Short Circuit Capability.  
• Square RBSOA.  
• Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics.  
• Positive VCE (on) Temperature Coefficient.  
• Lead-Free  
IC = 4.2A, TC=100°C  
tsc > 10µs, TJ=150°C  
VCE(on) typ. = 1.9V  
G
E
n-channel  
Benefits  
• Benchmark Efficiency for Motor Control.  
• Rugged Transient Performance.  
• Low EMI.  
• Excellent Current Sharing in Parallel Operation.  
D-Pak  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
600  
Units  
Collector-to-Emitter Voltage  
V
A
VCES  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulse Collector Current (Ref.Fig.C.T.5)  
Clamped Inductive Load current  
Diode Continous Forward Current  
Diode Continuous Forward Current  
Diode Maximum Forward Current  
Gate-to-Emitter Voltage  
7.8  
IC @ TC = 25°C  
4.2  
IC @ TC = 100°C  
15.6  
15.6  
6.0  
ICM  
ILM  
IF @ Tc = 25°C  
3.2  
IF @ Tc = 100°C  
15.6  
±20  
IFM  
V
VGE  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
Operating Junction and  
52  
W
PD @ TC = 25°C  
21  
PD @ TC = 100°C  
-55 to +150  
TJ  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature Range, for 10 sec.  
°C  
TSTG  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)  
Thermal / Mechanical Characteristics  
Parameter  
Min.  
–––  
–––  
–––  
–––  
Typ.  
–––  
–––  
–––  
0.3  
Max.  
2.4  
Units  
Rθ  
Rθ  
Rθ  
Junction-to-Case- IGBT  
°C/W  
JC  
JC  
JA  
Junction-to-Case- Diode  
8.8  
Junction-to-Ambient, (PCB Mount)  
50  
Weight  
–––  
g
Wt  
www.irf.com  
1
2/23/04  
1234567...14

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IRGR3B60KD2TRLP 替代型号

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IRGR3B60KD2TRRP INFINEON

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