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IRGR4607DTRRPBF

更新时间： 2024-01-17 21:33:31
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 栅功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
16页 754K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 11A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DPAK-3/2

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IRGR4607DTRRPBF 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DPAK-3/2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.63外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：11 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODEJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：95 ns
标称接通时间 (ton)：51 nsBase Number Matches：1

IRGR4607DTRRPBF 数据手册

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IRGR4607DPbF  
IRGS4607DPbF  
IRGB4607DPbF  
Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode  
VCES = 600V  
C
C
C
C
IC = 7.0A, TC =100°C  
E
E
C
G
E
G
C
tSC 5µs, TJ(max) = 175°C  
CE(ON) typ. = 1.75V @ IC = 4.0A  
G
G
E
IRGB4607DPbF  
TO-220AB  
IRGR4607DPbF  
D-Pak  
IRGS4607DPbF  
D2Pak  
V
n-channel  
Applications  
• Industrial Motor Drive  
• UPS  
G
Gate  
C
E
Collector  
Emitter  
• Solar Inverters  
• Welding  
Features  
Benefits  
Low VCE(ON) and Switching Losses  
5µs Short Circuit SOA  
Square RBSOA  
High Efficiency in a Wide Range of Applications  
Rugged Transient Performance  
Maximum Junction Temperature 175°C  
Positive VCE (ON) Temperature Coefficient  
Increased Reliability  
Excellent Current Sharing in Parallel Operation  
Base part number  
Package Type  
Standard Pack  
Form  
Tube  
Orderable Part Number  
Quantity  
75  
2000  
3000  
3000  
50  
IRGR4607DPbF  
D-Pak  
IRGR4607DPbF  
IRGR4607DTRPbF  
IRGR4607DTRLPbF  
IRGR4607DTRRPbF  
IRGS4607DPBF  
IRGS4607DTRRPBF  
IRGS4607DTRLPBF  
IRGB4607DPBF  
Tape and Reel  
Tape and Reel Left  
Tape and Reel Right  
Tube  
Tape and Reel Right  
Tape and Reel Left  
Tube  
IRGS4607DPBF  
D2Pak  
800  
800  
50  
IRGB4607DPBF  
TO-220AB  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Collector-to-Emitter Voltage  
Continuous Collector Current  
Max.  
Units  
VCES  
IC @ TC = 25°C  
IC @ TC = 100°C  
600  
11  
7.0  
V
Continuous Collector Current  
ICM  
ILM  
Pulse Collector Current, VGE=20V  
Clamped Inductive Load Current, VGE=20V  
Diode Continuous Forward Current  
Diode Continuous Forward Current  
Diode Maximum Forward Current  
Continuous Gate-to-Emitter Voltage  
Transient Gate-to-Emitter Voltage  
Maximum Power Dissipation  
12  
16  
8.0  
5.0  
A
IF @ TC = 25°C  
IF @ TC = 100°C  
IFM  
VGE  
16  
±20  
±30  
58  
V
PD @ TC = 25°C  
PD @ TC = 100°C  
W
Maximum Power Dissipation  
29  
TJ  
Operating Junction and  
-40 to +175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 sec. (1.6mm) from case)  
Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw  
°C  
300 (0.063 in.  
10 lbf·in (1.1 N·m)  
1
www.irf.com  
© 2014 International Rectifier  
Submit Datasheet Feedback  
February 6, 2014  
1234567...16

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IRGR4607DTRRPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRGR4607DTRPBF INFINEON

完全替代

 Insulated Gate Bipolar Transistor, 11A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, ROHS COMP
IRGR4607DPBF INFINEON

类似代替

 Insulated Gate Bipolar Transistor, 11A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, ROHS COMP

与IRGR4607DTRRPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRGR4610DPBF INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode
IRGR4610DTRLPBF INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode
IRGR4610DTRPBF INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode
IRGR4610DTRRPBF INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode
IRGRDN200M12 ETC

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 		TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 420A I(C)
IRGRDN300K06 ETC

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 		TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 340A I(C)
IRGRDN300M06 ETC

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IRGRDN400K06 ETC

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