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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | POST/STUD MOUNT, R-MUPM-X4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.76 | 其他特性： | LOW CONDUCTION LOSS |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 680 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 5.5 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-MUPM-X4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 2604 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 2600 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管应用： | MOTOR CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | VCEsat-Max： | 2.7 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRGRDN600M06 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 800A I(C) |
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| IRGS10B60KD | INFINEON |
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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
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| IRGS10B60KDPBF | INFINEON |
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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
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| IRGS14B40L | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 430V V(BR)CES | 18A I(C) | TO-252VAR |
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| IRGS14C40L | INFINEON |
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IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector clamps |
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| IRGS14C40LPBF | INFINEON |
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IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector clamps |
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| IRGS14C40LTRLP | INFINEON |
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IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector clamps |
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| IRGS15B60KD | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
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| IRGS15B60KDPBF | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
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| IRGS15B60KDTRL | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 31A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, D2PAK-3 |
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