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IRGPS60B120KDP

更新时间： 2024-01-01 16:56:04
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体二极管晶体管电动机控制电机双极性晶体管栅超快软恢复二极管快速软恢复二极管
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12页 136K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Motor Control Co-Pack IGBT

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IRGPS60B120KDP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-274AA
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.09
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：105 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码：TO-274AAJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：411 ns
标称接通时间 (ton)：104 nsBase Number Matches：1

IRGPS60B120KDP 数据手册

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PD-95913  
IRGPS60B120KDP  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH  
Motor Control Co-Pack IGBT  
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE  
C
Features  
VCES = 1200V  
• Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.  
• Low Diode VF.  
• 10µs Short Circuit Capability.  
• Square RBSOA.  
• Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics.  
• Positive VCE (on) Temperature Coefficient.  
• Super-247 Package.  
V
CE(on) typ. = 2.50V  
@ VGE = 15V,  
G
E
• Lead-Free  
ICE = 60A, Tj=25°C  
N-channel  
Benefits  
• Benchmark Efficiency for Motor Control.  
• Rugged Transient Performance.  
• Low EMI.  
• Significantly Less Snubber Required  
• Excellent Current Sharing in Parallel Operation.  
Super-247™  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
1200  
105‚  
60  
Units  
V
VCES  
C @ TC = 25°C  
Collector-to-Emitter Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulsed Collector Current  
I
IC @ TC = 100°C  
ICM  
240  
A
ILM  
Clamped Inductive Load Current   
Diode Continuous Forward Current  
Diode Continuous Forward Current  
Diode Maximum Forward Current  
Gate-to-Emitter Voltage  
240  
IF @ TC = 25°C  
IF @ TC = 100°C  
IFM  
120  
60  
240  
VGE  
± 20  
V
PD @ TC = 25°C  
Maximum Power Dissipation  
595  
W
PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation  
238  
TJ  
Operating Junction and  
-55 to +150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 sec.  
°C  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case - IGBT  
Min.  
–––  
Typ.  
–––  
Max.  
0.20  
0.41  
–––  
40  
Units  
RθJC  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
Junction-to-Case - Diode  
–––  
–––  
°C/W  
Case-to-Sink, flat, greased surface  
Junction-to-Ambient, typical socket mount  
Recommended Clip Force  
–––  
0.24  
–––  
–––  
20 (2)  
–––  
–––  
–––  
–––  
–––  
N(kgf)  
g (oz)  
nH  
Wt  
Le  
Weight  
6.0 (0.21)  
13  
Internal Emitter Inductance (5mm from package)  
–––  
www.irf.com  
1
9/22/04  
1234567...12

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IRGPS60B120KDP 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRGPS60B120KD INFINEON

类似代替

 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRGPS60B120KDPBF INFINEON

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IRGPS60B120KDPPBF INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 105A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-274AA, LEAD FR
IRGPS66160DPBF INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 240A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-274AA,
IRGR2B60KDPBF INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-FAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGR2B60KDPBF_15 INFINEON

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IRGR2B60KDTRLPBF INFINEON

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IRGR3B60KD2 INFINEON

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