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IRGPS60B120KD

更新时间： 2024-02-16 04:12:47
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体二极管双极型晶体管栅超快软恢复二极管快速软恢复二极管
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12页 136K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRGPS60B120KD 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-274AA
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.09
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：105 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码：TO-274AAJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：411 ns
标称接通时间 (ton)：104 nsBase Number Matches：1

IRGPS60B120KD 数据手册

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PD-94239A  
IRGPS60B120KD  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH  
Motor Control Co-Pack IGBT  
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE  
C
VCES = 1200V  
Features  
• Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.  
• Low Diode VF.  
• 10µs Short Circuit Capability.  
• Square RBSOA.  
• Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics.  
• Positive VCE (on) Temperature Coefficient.  
• Super-247 Package.  
V
CE(on) typ. = 2.50V  
@ VGE = 15V,  
G
E
ICE = 60A, Tj=25°C  
N-channel  
Benefits  
• Benchmark Efficiency for Motor Control.  
• Rugged Transient Performance.  
• Low EMI.  
• Significantly Less Snubber Required  
• Excellent Current Sharing in Parallel Operation.  
Super-247™  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
1200  
105‚  
60  
Units  
V
VCES  
C @ TC = 25°C  
Collector-to-Emitter Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulsed Collector Current  
I
IC @ TC = 100°C  
ICM  
240  
A
ILM  
Clamped Inductive Load Current   
Diode Continuous Forward Current  
Diode Continuous Forward Current  
Diode Maximum Forward Current  
Gate-to-Emitter Voltage  
240  
IF @ TC = 25°C  
IF @ TC = 100°C  
IFM  
120  
60  
240  
VGE  
± 20  
V
PD @ TC = 25°C  
Maximum Power Dissipation  
595  
W
PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation  
238  
TJ  
Operating Junction and  
-55 to +150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 sec.  
°C  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case - IGBT  
Min.  
–––  
Typ.  
–––  
Max.  
0.20  
0.41  
–––  
40  
Units  
RθJC  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
Junction-to-Case - Diode  
–––  
–––  
°C/W  
Case-to-Sink, flat, greased surface  
Junction-to-Ambient, typical socket mount  
Recommended Clip Force  
–––  
0.24  
–––  
–––  
20 (2)  
–––  
–––  
–––  
–––  
–––  
N(kgf)  
g (oz)  
nH  
Wt  
Le  
Weight  
6.0 (0.21)  
13  
Internal Emitter Inductance (5mm from package)  
–––  
www.irf.com  
1
8/18/04  
1234567...12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRGPS60B120KDP INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Motor Control Co-Pack
IRGPS60B120KDPBF INFINEON

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 		暂无描述
IRGPS60B120KDPPBF INFINEON

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