IRG4BH20K-L

更新时间： 2024-09-26 21:55:23

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管栅
页数	文件大小	规格书
8页	167K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRG4BH20K-L 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.05	其他特性：	ULTRA FAST, LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	11 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE
JEDEC-95代码：	TO-262AA	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e0	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	225
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	720 ns
标称接通时间 (ton)：	51 ns	Base Number Matches：	1

IRG4BH20K-L 数据手册

PD -93961

IRG4BH20K-L

Short Circuit Rated

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

UltraFast IGBT

Features

• High short circuit rating optimized for motor control,

t_sc=10µs, V_CC= 720V , T_J= 125°C,

V_GE= 15V

V_CES= 1200V

• Combines low conduction losses with high

switching speed

V_{CE(on) typ.}= 3.17V

• Latest generation design provides tighter parameter

distribution and higher efficiency than previous

generations

@V_GE= 15V, I_C= 5.0A

n-channel

• Industry standard TO-262 package

Benefits

• As a Freewheeling Diode we recommend our

HEXFRED^TMultrafast, ultrasoft recovery diodes for

minimum EMI / Noise and switching losses in the

Diode and IGBT

• Latest generation 4 IGBT's offer highest power

density motor controls possible

TO-262

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

V_CES

_C@ T_C= 25°C

Collector-to-Emitter Voltage

Continuous Collector Current

Pulsed Collector Current

Clamped Inductive Load Current

Short Circuit Withstand Time

Gate-to-Emitter Voltage

1200

I_C@ T_C= 100°C

5.0

I_CM

I_LM

t_sc

±20

µs

V_GE

E_ARV

Reverse Voltage Avalanche Energy

Maximum Power Dissipation

130

P_D@ T_C= 25°C

_D@ T_C= 100°C Maximum Power Dissipation

T_J

Operating Junction and

-55 to +150

T_STG

Storage Temperature Range

°C

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Case

Typ.

–––

Max.

2.1

Units

R_θJC

R_θCS

R_θJA

Case-to-Sink, Flat, Greased Surface

Junction-to-Ambient, typical socket mount

Weight

0.24

–––

°C/W

–––

6 (0.21)

–––

g (oz)

www.irf.com

8/17/00

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

IRG4BH20K-L 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRG4BH20K-LPBF	INFINEON	完全替代	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR ( VCES=1200V , VCE(on)typ.=3.17V , @VGE=15V.Ic=5.0A )

与IRG4BH20K-L相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRG4BH20K-LPBF	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR ( VCES=1200V , VCE(on)typ.=3.17V , @VGE=15V.Ic=5.0A )
IRG4BH20K-S	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4BH20K-SPBF	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4BH20K-STRL	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 11A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, PLASTIC,
IRG4BH20K-STRLPBF	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 11A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, LEAD FRE
IRG4BH20K-STRR	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 11A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, PLASTIC,
IRG4BH20K-STRRPBF	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 11A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, LEAD FRE
IRG4BH40FD	INFINEON	获取价格	Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRG4BH40KD	INFINEON	获取价格	Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRG4BH40MD	INFINEON	获取价格	Fit Rate / Equivalent Device Hours

与IRG4BH20K-L相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

19
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

13
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

17
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

26

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRG4BH20K-L

IRG4BH20K-L 技术参数

IRG4BH20K-L 数据手册

IRG4BH20K-L 替代型号

与IRG4BH20K-L相关器件

与IRG4BH20K-L相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRG4BH20K-L

IRG4BH20K-L 技术参数

IRG4BH20K-L 数据手册

IRG4BH20K-L 替代型号

与IRG4BH20K-L相关器件

与IRG4BH20K-L相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？