IRG4CC10KBPBF

更新时间： 2024-09-27 13:08:51

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英飞凌 - INFINEON		双极性晶体管
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IRG4CC10KBPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	UNCASED CHIP, R-XUUC-N2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.61
其他特性：	ULTRA FAST SPEED	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	JESD-30 代码：	R-XUUC-N2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	UNCASED CHIP	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	MOTOR CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRG4CC10KBPBF 数据手册

PD-91825

IRG4CC10KB

IRG4CC10KB IGBT Die in Wafer Form

600 V

Size 1

Ultra-Fast Speed

Short Circuit Rated

6" Wafer

Electrical Characteristics ( Wafer Form )

Parameter

V_{CE (on)}

V_(BR)CES

V_GE(th)

I_CES

Description

Guaranteed (Min/Max)

Test Conditions

I_C= 1.5A, T_J= 25°C, V_GE= 15V

T_J= 25°C, I_CES= 250µA, V_GE= 0V

V_GE= V_CE, T_J=25°C, I_C=250µA

T_J= 25°C, V_CE= 600V

Collector-to-Emitter Saturation Voltage

Colletor-to-Emitter Breakdown Voltage

Gate Threshold Voltage

4.5V Max.

600V Min.

3.0V Min., 6.5V Max.

250µA Max.

Zero Gate Voltage Collector Current

Gate-to-Emitter Leakage Current

I_GES

± 1.1µA Max.

T_J= 25°C, V_GE= +/- 20V

Mechanical Data

Nominal Backmetal Composition, Thickness:

Nominal Front Metal Composition, Thickness:

Dimensions:

Cr-NiV-Ag (1 kA-2kA-2.5kA )

99% Al, 1% Si (4 microns)

.080" x .120"

Wafer Diameter:

150mm, with std. < 100 > flat

.015" + / -.003"

Wafer thickness:

Relevant Die Mechanical Dwg. Number

Minimum Street Width

01-5274

100 Microns

Reject Ink Dot Size

0.25mm Diameter Minimum

Consistent throughout same wafer lot

Store in original container, in dessicated

nitrogen, with no contamination

For optimum electrical results, die attach

temperature should not exceed 300C

Ink Dot Location

Recommended Storage Environment:

Recommended Die Attach Conditions

Reference Standard IR packaged part ( for design ) : IRG4BC10K

Die Outline

12\4\98

www.irf.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRG4CC10SB	ETC	获取价格
IRG4CC10UB	ETC	获取价格
IRG4CC20FB	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 600V V(BR)CES \| CHIP
IRG4CC20KB	ETC	获取价格
IRG4CC20KBPBF	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel, DIE-2
IRG4CC20MB	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 600V V(BR)CES \| CHIP
IRG4CC20RB	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 600V V(BR)CES \| CHIP
IRG4CC20UB	ETC	获取价格
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IRG4CC30KB	ETC	获取价格