5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.04 |
| 其他特性： | LOW CONDUCTION LOSS | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 11 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 配置： | SINGLE | 最大降落时间（tf）： | 400 ns |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 6.5 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 60 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | MOTOR CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 720 ns | 标称接通时间 (ton)： | 51 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRG4BH20K-STRR | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 11A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, PLASTIC, |
|
| IRG4BH20K-STRRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 11A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, LEAD FRE |
|
| IRG4BH40FD | INFINEON |
获取价格 |
Fit Rate / Equivalent Device Hours |
|
| IRG4BH40KD | INFINEON |
获取价格 |
Fit Rate / Equivalent Device Hours |
|
| IRG4BH40MD | INFINEON |
获取价格 |
Fit Rate / Equivalent Device Hours |
|
| IRG4BH40SD | INFINEON |
获取价格 |
Fit Rate / Equivalent Device Hours |
|
| IRG4BH40UD | INFINEON |
获取价格 |
Fit Rate / Equivalent Device Hours |
|
| IRG4C30W-S | ETC |
获取价格 |
|
|
| IRG4CC10KB | INFINEON |
获取价格 |
IRG4CC10KB IGBT Die in Wafer Form |
|
| IRG4CC10KBPBF | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
