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IRFY9130C PDF预览

IRFY9130C

更新时间： 2024-11-24 11:09:55
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1页 15K
描述
P-Channel MOSFET in a Hermetically sealed

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IRFY9130C 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Not Recommended
零件包装代码：TO-257AB包装说明：FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.27
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (ID)：11.2 A
最大漏源导通电阻：0.3 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-257ABJESD-30 代码：S-MSFM-P3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：METAL
封装形状：SQUARE封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：P-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：PIN/PEG
端子位置：SINGLE晶体管元件材料：SILICON

IRFY9130C 数据手册

  
IRFY9130C  
Dimensions in mm (inches).  
P-Channel MOSFET in  
10.6 (0.42)  
4.6 (0.18)  
0.8  
a Hermetically sealed  
(0.03)  
TO257AB Metal Package.  
3.70Dia. Nom  
1
2
3
VDSS = 100V  
ID = 11.2A  
RDS(ON) = 0.3Ω  
All Semelab hermetically sealed products can be  
processed in accordance with the requirements  
of BS, CECC and JAN, JANTX, JANTXV and  
JANS specifications.  
1.0  
(0.039)  
2.54 (0.1)  
BSC  
2.70  
(0.106)  
TO257AB (TO220M)  
PINOUTS  
1 – Gate  
2 – Drain  
Case – Source  
Parameter  
Min.  
Typ.  
Max.  
100  
11.2  
75  
Units  
V
VDSS  
ID  
Drain – Source Breakdown Voltage  
Continuous Drain Current  
Power Dissipation  
A
PD  
W
RDS(ON)  
CISS  
Qg  
Static Drain – Source On–State Resistance  
Input Capacitance  
0.3  
Ω
800  
pF  
nC  
ns  
ns  
ns  
ns  
Total Gate Charge  
30  
60  
ttd(on)  
ttr  
ttd(off)  
tf  
Turn–On Delay Time  
Rise Time  
140  
140  
140  
Turn–Off Delay Time  
Fall Time  
This is a shortform datasheet. For a full datasheet please contact sales@semelab.co.uk.  
Semelab Plc reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice. Information furnished by Semelab is believed  
to be both accurate and reliable at the time of going to press. However Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use.  
Semelab plc.  
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.  
E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk  
Generated  
13-Sep-02  
1

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与IRFY9130C相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFY9130CM INFINEON

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 		POWER MOSFET P-CHANNEL(BVdss=-100V, Rds(on)=0.3ohm, Id=-11.2A)
IRFY9130CMPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 11.2A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IRFY9130CMSCV INFINEON

获取价格

 		-100V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-257AA package - Screening Level TXV
IRFY9130CMSCX INFINEON

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 		-100V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-257AA package - Screening Level TX
IRFY9130CSCS INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 100V, 0.31ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IRFY9130CSCX INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 100V, 0.31ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
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 		Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 100V, 0.36ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
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 		Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 100V, 0.36ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
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 		暂无描述

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