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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFY9130MEB
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IRFY9130MEB

更新时间： 2024-11-24 13:02:59
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
7页 164K
描述
Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 100V, 0.36ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB

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IRFY9130MEB 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.25外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (ID)：9.3 A最大漏源导通电阻：0.36 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-257AB
JESD-30 代码：S-MSFM-P3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：METAL封装形状：SQUARE
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：37 A
认证状态：Not Qualified参考标准：CECC
表面贴装：NO端子形式：PIN/PEG
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

IRFY9130MEB 数据手册

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PD - 91293B  
IRFY9130C,IRFY9130CM  
100V, P-CHANNEL  
POWER MOSFET  
THRU-HOLE (TO-257AA)  
HEXFET® MOSFET TECHNOLOGY  
Product Summary  
Part Number RDS(on)  
ID  
Eyelets  
IRFY9130C  
0.3 Ω  
0.3 Ω  
-11.2A Ceramic  
-11.2A Ceramic  
IRFY9130CM  
HEXFET® MOSFET technology is the key to International  
Rectifier’s advanced line of power MOSFET transistors. The  
efficient geometry design achieves very low on-state re-  
sistance combined with high transconductance. HEXFET  
transistors also feature all of the well-established advan-  
tages of MOSFETs, such as voltage control, very fast switch-  
ing, ease of paralleling and electrical parameter temperature  
stability. They are well-suited for applications such as switch-  
ing power supplies, motor controls, inverters, choppers,  
audio amplifiers, high energy pulse circuits, and virtually  
any application where high reliability is required. The  
HEXFET transistor’s totally isolated package eliminates the  
need for additional isolating material between the device  
and the heatsink. This improves thermal efficiency and  
reduces drain capacitance.  
TO-257AA  
Features:  
n
n
n
n
n
n
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Electrically Isolated  
Ceramic Eyelets  
Ideally Suited For Space Level  
Applications  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Units  
I
@ V  
= -10V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
-11.2  
-7.1  
D
GS  
C
A
I
D
@ V  
= -10V, T = 100°C Continuous Drain Current  
GS  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
-44  
DM  
@ T = 25°C  
P
D
75  
W
W/°C  
V
C
0.6  
V
Gate-to-Source Voltage  
±20  
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
400  
mJ  
A
AS  
I
-11.2  
7.5  
AR  
E
AR  
dv/dt  
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➀  
Operating Junction  
mJ  
V/ns  
-5.5  
T
-55 to 150  
J
T
Storage Temperature Range  
oC  
g
STG  
Lead Temperature  
Weight  
300(0.063in./1.6mm from case for 10 sec)  
4.3 (Typical)  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
4/18/01  
1234567

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与IRFY9130MEB相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFY9130MEBPBF INFINEON

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 		暂无描述
IRFY9130MEDPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 100V, 0.36ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IRFY9140 INFINEON

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 		POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)
IRFY9140 SEME-LAB

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 		P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI-REL APPLICATIONS
IRFY9140C INFINEON

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 		POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)
IRFY9140C SEME-LAB

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IRFY9140CM INFINEON

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 		POWER MOSFET P-CHANNEL(BVdss=-100V, Rds(on)=0.2ohm, Id=-15.8A)
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 		Power Field-Effect Transistor, 15.8A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IRFY9140CMSCV INFINEON

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 		-100V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-257AA package - Screening Level TXV
IRFY9140CMSCX INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 15.8A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M

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