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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-MSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.07 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 13 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.24 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-MSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| SHD226409 | SENSITRON |
类似代替  |
HERMETIC POWER MOSFET P-CHANNEL |
|
| IRFY9140C | INFINEON |
类似代替 |
POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA) |
|
| IRFY9140 | INFINEON |
功能相似 |
POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA) |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFY9140C | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA) |
|
| IRFY9140C | SEME-LAB |
获取价格 |
P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI-REL APPLICATIONS |
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| IRFY9140CM | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET P-CHANNEL(BVdss=-100V, Rds(on)=0.2ohm, Id=-15.8A) |
|
| IRFY9140CMPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 15.8A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFY9140CMSCV | INFINEON |
获取价格 |
-100V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-257AA package - Screening Level TXV |
|
| IRFY9140CMSCX | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 15.8A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M |
|
| IRFY9140CMSCXPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 15.8A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M |
|
| IRFY9140CPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 15.8A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFY9140CSCSPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFY9140CSCV | INFINEON |
获取价格 |
-100V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-257AA package - Lead Trimmed Screening Level |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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