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IRFY9230

更新时间： 2024-01-20 08:05:55

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2页	55K
描述
P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI-REL APPLICATIONS

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IRFY9230 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	FLANGE MOUNT, S-PSFM-P3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.76
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (ID)：	6.5 A
最大漏源导通电阻：	0.92 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-257AA	JESD-30 代码：	S-PSFM-P3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	28 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFY9230 数据手册

IRFY9230

MECHANICAL DATA

P–CHANNEL

Dimensions in mm (inches)

POWER MOSFET

FOR HI–REL

4.83 (0.190)

5.08 (0.200)

10.41 (0.410)

10.67 (0.420)

0.89 (0.035)

1.14 (0.045)

APPLICATIONS

3.56 (0.140)

3.81 (0.150)

Dia.

V_DSS

– 200V

– 6.5A

1 2 3

I_D(cont)

R_DS(on)

Ω

0.80

0.64 (0.025)

0.89 (0.035)

Dia.

2.54 (0.100)

BSC

3.05 (0.120)

BSC

FEATURES

• HERMETICALLY SEALED TO–257AA

METAL PACKAGE

TO–257AA – Metal Package

• SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS

• LIGHTWEIGHT

Pad 1 – Gate

Pad 2 – Drain

Pad 3 – Source

• SCREENING OPTIONS AVAILABLE

• ALL LEADS ISOLATED FROM CASE

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

= 25°C unless otherwise stated)

±20V

case

Gate – Source Voltage

Continuous Drain Current @ T

Pulsed Drain Current

= 25°C

- 6.5A

- 4.0A

case

= 100°C

case

- 28A

Power Dissipation @ T = 25°C

case

75W

Linear Derating Factor

0.6W/°C

- 55 to 150°C

1.67°C/W max.

T , T

Operating and Storage Temperature Range

Thermal Resistance Junction to Case

stg

θJC

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to be both accurate and reliable at the time of going to press. However Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use.

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Document Number 3280

Issue 1

E-mail: sales@semelab.co.uk

Website: http://www.semelab.co.uk

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