SHD226409

更新时间： 2024-10-14 04:04:51

品牌	Logo	应用领域
SENSITRON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
3页	61K
描述
HERMETIC POWER MOSFET P-CHANNEL

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SHD226409 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-257AA
包装说明：	FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.33	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	13 A
最大漏源导通电阻：	0.24 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-257AA	JESD-30 代码：	S-MSFM-P3
JESD-609代码：	e0	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	METAL
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	52 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SHD226409 数据手册

SENSITRON

SEMICONDUCTOR

SHD226409

TECHNICAL DATA

DATA SHEET 582, REV. -

HERMETIC POWER MOSFET

P-CHANNEL

FEATURES:

-100 Volt, 0.21 Ohm, -13A MOSFET

Isolated Hermetic Metal Package

Fast Switching

Equivalent to IRFY9140 Series

MAXIMUM RATINGS

ALL RATINGS ARE AT T_C= 25C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED.

RATING

SYMBOL

V_GS

I_{D (on)}

I_DM

T_OP/T_STG

R_thJC

MIN.

-55

TYP.

MAX.

-13

-52

+150

2.1

UNITS

Volts

Amps

C/W

Watts

GATE TO SOURCE VOLTAGE

ON-STATE DRAIN CURRENT

PULSED DRAIN CURRENT

OPERATING AND STORAGE TEMPERATURE

THERMAL RESISTANCE, JUNCTION TO CASE

@ T_C= 25C

P_D

TOTAL DEVICE DISSIPATION

@ T_C= 25C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

CHARACTERISTIC

DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN VOLTAGE

SYMBOL

BV_DSS

MIN.

-100

TYP.

MAX.

UNITS

Volts

V_GS= 0V, I_D= 1.0 mA

TOTAL GATE CHARGE

V_GS= -10V, I_D= -13A, V_DS= 0.5 x V_DSMax.

GATE TO SOURCE ON-STATE VOLTAGE

V_GS= -10V, I_D= -13A, V_DS= 0.5 x V_DSMax.

GATE DRAIN CHARGE

V_GS= -10V, I_D= -13A, V_DS= 0.5 x V_DSMax.

Q_g

Q_gs

Q_gd

3.7

7.0

35.2

STATIC DRAIN TO SOURCE ON STATE RESISTANCE

V_GS= 10V, I_D= -8.4A

V_GS= 10V, I_D= -13A

R_DS(ON)

0.21

0.24

-4.0

V_GS(th)

g_fs

-2.0

6.2

Volts

S(1/W)

GATE THRESHOLD VOLTAGE V_DS= V_GS, I_D= -250mA

FORWARD TRANSCONDUCTANCE

V_DS 15V_DS(on), I_D= -8.2A

ZERO GATE VOLTAGE DRAIN CURRENT

V_DS= 0.8x Max. Rating, V_GS= 0V

I_DSS

I_GSS

-25

-250

100

-100

V_DS= 0.8x Max. Rating, V_GS= 0V, T_J= 125C

GATE TO SOURCE LEAKAGE FORWARD

GATE TO SOURCE LEAKAGE REVERSE

TURN ON DELAY TIME

RISE TIME

TURN OFF DELAY TIME

FALL TIME

V_GS= 20V

V_GS= -20V

V_DD= -50V,

I_D= -13A,

R_G= 9.1W,

V_GS= -10V

t_d(ON)

t_r

t_d(OFF)

t_f

nsec

Volts

nsec

-4.2

V_SD

DIODE FORWARD VOLTAGE

REVERSE RECOVERY TIME

T_C= 25C, I_S= -13A,

V_GS= 0V

t_rr

280

T_J= 25C,

I_S= -13 A, di/dt -100A/msec,

V_DD -50 V

INPUT CAPACITANCE

V_GS= 0 V,

C_iss

C_oss

C_rss

1400

600

200

OUTPUT CAPACITANCE

V_DS= 25 V,

REVERSE TRANSFER CAPACITANCE

f = 1.0MHz

221 WEST INDUSTRY COURT DEER PARK, NY 11729-4681 PHONE (631) 586-7600 FAX (631) 242-9798

World Wide Web Site - http://www.sensitron.com E-Mail Address - sales@sensitron.com

12 3

中文翻译

下载PDF

SHD226409 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFY9140C	INFINEON	类似代替	POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)
IRFY9140	SEME-LAB	类似代替	P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI-REL APPLICATIONS
IRFY9140	INFINEON	功能相似	POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)

与SHD226409相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SHD226409_09	SENSITRON	获取价格	HERMETIC POWER MOSFET P-CHANNEL
SHD226410	SENSITRON	获取价格	HERMETIC POWER MOSFET P-CHANNEL
SHD226412	SENSITRON	获取价格	HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL
SHD226412R	SENSITRON	获取价格	HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL
SHD226413	SENSITRON	获取价格	HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL
SHD2264C	SENSITRON	获取价格	暂无描述
SHD226701	SENSITRON	获取价格	LOW RDS(on) HERMETIC POWER MOSFET - N-CHANNEL
SHD226703	SENSITRON	获取价格	HERMETIC POWER MOSFET - N-CHANNEL
SHD226707	SENSITRON	获取价格	HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL
SHD2301	SENSITRON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 60V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

与SHD226409相关文章

纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
2024-10-18

3
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
2024-10-15

9
联发科推出全球首款3纳米汽车芯片CT-X1，挑战高通SA8295
2024-10-15

14
国家大基金减持三家半导体企业，市场反应各异
2024-10-15

14

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SHD226409

SHD226409 技术参数

SHD226409 数据手册

SHD226409 替代型号

与SHD226409相关器件

与SHD226409相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SHD226409

SHD226409 技术参数

SHD226409 数据手册

SHD226409 替代型号

与SHD226409相关器件

与SHD226409相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？