SHD226409

更新时间： 2024-11-24 04:04:51

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SENSITRON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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3页	61K
描述
HERMETIC POWER MOSFET P-CHANNEL

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SHD226409 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-257AA
包装说明：	FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.33	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	13 A
最大漏源导通电阻：	0.24 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-257AA	JESD-30 代码：	S-MSFM-P3
JESD-609代码：	e0	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	METAL
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	52 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SHD226409 数据手册

SENSITRON

SEMICONDUCTOR

SHD226409

TECHNICAL DATA

DATA SHEET 582, REV. -

HERMETIC POWER MOSFET

P-CHANNEL

FEATURES:

-100 Volt, 0.21 Ohm, -13A MOSFET

Isolated Hermetic Metal Package

Fast Switching

Equivalent to IRFY9140 Series

MAXIMUM RATINGS

ALL RATINGS ARE AT T_C= 25C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED.

RATING

SYMBOL

V_GS

I_{D (on)}

I_DM

T_OP/T_STG

R_thJC

MIN.

-55

TYP.

MAX.

-13

-52

+150

2.1

UNITS

Volts

Amps

C/W

Watts

GATE TO SOURCE VOLTAGE

ON-STATE DRAIN CURRENT

PULSED DRAIN CURRENT

OPERATING AND STORAGE TEMPERATURE

THERMAL RESISTANCE, JUNCTION TO CASE

@ T_C= 25C

P_D

TOTAL DEVICE DISSIPATION

@ T_C= 25C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

CHARACTERISTIC

DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN VOLTAGE

SYMBOL

BV_DSS

MIN.

-100

TYP.

MAX.

UNITS

Volts

V_GS= 0V, I_D= 1.0 mA

TOTAL GATE CHARGE

V_GS= -10V, I_D= -13A, V_DS= 0.5 x V_DSMax.

GATE TO SOURCE ON-STATE VOLTAGE

V_GS= -10V, I_D= -13A, V_DS= 0.5 x V_DSMax.

GATE DRAIN CHARGE

V_GS= -10V, I_D= -13A, V_DS= 0.5 x V_DSMax.

Q_g

Q_gs

Q_gd

3.7

7.0

35.2

STATIC DRAIN TO SOURCE ON STATE RESISTANCE

V_GS= 10V, I_D= -8.4A

V_GS= 10V, I_D= -13A

R_DS(ON)

0.21

0.24

-4.0

V_GS(th)

g_fs

-2.0

6.2

Volts

S(1/W)

GATE THRESHOLD VOLTAGE V_DS= V_GS, I_D= -250mA

FORWARD TRANSCONDUCTANCE

V_DS 15V_DS(on), I_D= -8.2A

ZERO GATE VOLTAGE DRAIN CURRENT

V_DS= 0.8x Max. Rating, V_GS= 0V

I_DSS

I_GSS

-25

-250

100

-100

V_DS= 0.8x Max. Rating, V_GS= 0V, T_J= 125C

GATE TO SOURCE LEAKAGE FORWARD

GATE TO SOURCE LEAKAGE REVERSE

TURN ON DELAY TIME

RISE TIME

TURN OFF DELAY TIME

FALL TIME

V_GS= 20V

V_GS= -20V

V_DD= -50V,

I_D= -13A,

R_G= 9.1W,

V_GS= -10V

t_d(ON)

t_r

t_d(OFF)

t_f

nsec

Volts

nsec

-4.2

V_SD

DIODE FORWARD VOLTAGE

REVERSE RECOVERY TIME

T_C= 25C, I_S= -13A,

V_GS= 0V

t_rr

280

T_J= 25C,

I_S= -13 A, di/dt -100A/msec,

V_DD -50 V

INPUT CAPACITANCE

V_GS= 0 V,

C_iss

C_oss

C_rss

1400

600

200

OUTPUT CAPACITANCE

V_DS= 25 V,

REVERSE TRANSFER CAPACITANCE

f = 1.0MHz

221 WEST INDUSTRY COURT DEER PARK, NY 11729-4681 PHONE (631) 586-7600 FAX (631) 242-9798

World Wide Web Site - http://www.sensitron.com E-Mail Address - sales@sensitron.com

12 3

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFY9140C	INFINEON	类似代替	POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)
IRFY9140	SEME-LAB	类似代替	P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI-REL APPLICATIONS
IRFY9140	INFINEON	功能相似	POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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SHD226412	SENSITRON	获取价格	HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL
SHD226412R	SENSITRON	获取价格	HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL
SHD226413	SENSITRON	获取价格	HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL
SHD2264C	SENSITRON	获取价格	暂无描述
SHD226701	SENSITRON	获取价格	LOW RDS(on) HERMETIC POWER MOSFET - N-CHANNEL
SHD226703	SENSITRON	获取价格	HERMETIC POWER MOSFET - N-CHANNEL
SHD226707	SENSITRON	获取价格	HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL
SHD2301	SENSITRON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 60V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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