IRFY9140CM

更新时间： 2024-01-18 19:28:58

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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POWER MOSFET P-CHANNEL(BVdss=-100V, Rds(on)=0.2ohm, Id=-15.8A)

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IRFY9140CM 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.08
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	15.8 A
最大漏源导通电阻：	0.2 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-257AB	JESD-30 代码：	S-MSFM-P3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	METAL
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFY9140CM 数据手册

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Provisional Data Sheet No. PD 9.1294A

IRFY9140CM

HEXFET^®POWERMOSFET

P-CHANNEL

-100Volt, 0.2Ω HEXFET

Product Summary

International Rectifier’s HEXFET technology is the key to

its advanced line of power MOSFET transistors.The effi-

cient geometry design achieves very low on-state resis-

tance combined with high transconductance.

Part Number

DSS

DS(on)

IRFY9140CM

-100V

0.2Ω

-15.8A

Features

HEXFET power MOSFETs also feature all of the well-

established advantages of MOSFETs, such as voltage

control, very fast switching, ease of paralleling and electri-

cal parameter temperature stability.They are well-suited

for applications such as switching power supplies, motor

controls, inverters, choppers, audio amplifiers, high en-

ergy pulse circuits, and virtually any application where

high reliability is required.

n Hermetically Sealed

n Electrically Isolated

n Simple Drive Requirements

n Ease of Paralleling

The HEXFET power MOSFET’s totally isolated package

eliminates the need for additional isolating material between

the device and the heatsink.This improves thermal effi-

ciency and reduces drain capacitance.

Absolute Maximum Ratings

Parameter

IRFY9140CM

Units

@ V = -10V, T = 25°C

Continuous Drain Current

-15.8

-10

@ V = -10V, T = 100°C Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current

Max. Power Dissipation

Linear Derating Factor

-60

@ T = 25°C

100

W/Kꢀ

0.8

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalance Energy

Avalance Current

±20

640

-15.8

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt

Operating Junction

V/ns

dv/dt

-5.5

-55 to 150

Storage Temperature Range

°C

stg

LeadTemperature

Weight

300 (0.063 in (1.6mm) from case for 10 sec)

4.3(typical)

To Order

12 3 4 5 6

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IRFY9140CMPBF	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 15.8A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me	获取价格
IRFY9140CMSCV	INFINEON	-100V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-257AA package - Screening Level TXV	获取价格
IRFY9140CMSCX	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 15.8A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M	获取价格
IRFY9140CMSCXPBF	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 15.8A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M	获取价格
IRFY9140CPBF	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 15.8A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me	获取价格
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