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| 生命周期： | Not Recommended | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.28 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 13 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.24 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-257AA | JESD-30 代码： | R-MSFM-P3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 48 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFY9140CM | INFINEON |
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POWER MOSFET P-CHANNEL(BVdss=-100V, Rds(on)=0.2ohm, Id=-15.8A) |
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| IRFY9140CMPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 15.8A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| IRFY9140CMSCV | INFINEON |
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-100V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-257AA package - Screening Level TXV |
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| IRFY9140CMSCX | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 15.8A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M |
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| IRFY9140CMSCXPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 15.8A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M |
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| IRFY9140CPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 15.8A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| IRFY9140CSCSPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFY9140CSCV | INFINEON |
获取价格 |
-100V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-257AA package - Lead Trimmed Screening Level |
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| IRFY9140CSCVPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFY9140CSCXPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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