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IRFY9130MEBPBF

更新时间： 2024-11-24 12:59:31
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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7页 164K
描述
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IRFY9130MEBPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.59
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (ID)：9.3 A
最大漏源导通电阻：0.36 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-257ABJESD-30 代码：S-MSFM-P3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：METAL
封装形状：SQUARE封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：37 A认证状态：Not Qualified
参考标准：CECC表面贴装：NO
端子形式：PIN/PEG端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFY9130MEBPBF 数据手册

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PD - 91293B  
IRFY9130C,IRFY9130CM  
100V, P-CHANNEL  
POWER MOSFET  
THRU-HOLE (TO-257AA)  
HEXFET® MOSFET TECHNOLOGY  
Product Summary  
Part Number RDS(on)  
ID  
Eyelets  
IRFY9130C  
0.3 Ω  
0.3 Ω  
-11.2A Ceramic  
-11.2A Ceramic  
IRFY9130CM  
HEXFET® MOSFET technology is the key to International  
Rectifier’s advanced line of power MOSFET transistors. The  
efficient geometry design achieves very low on-state re-  
sistance combined with high transconductance. HEXFET  
transistors also feature all of the well-established advan-  
tages of MOSFETs, such as voltage control, very fast switch-  
ing, ease of paralleling and electrical parameter temperature  
stability. They are well-suited for applications such as switch-  
ing power supplies, motor controls, inverters, choppers,  
audio amplifiers, high energy pulse circuits, and virtually  
any application where high reliability is required. The  
HEXFET transistor’s totally isolated package eliminates the  
need for additional isolating material between the device  
and the heatsink. This improves thermal efficiency and  
reduces drain capacitance.  
TO-257AA  
Features:  
n
n
n
n
n
n
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Electrically Isolated  
Ceramic Eyelets  
Ideally Suited For Space Level  
Applications  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Units  
I
@ V  
= -10V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
-11.2  
-7.1  
D
GS  
C
A
I
D
@ V  
= -10V, T = 100°C Continuous Drain Current  
GS  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
-44  
DM  
@ T = 25°C  
P
D
75  
W
W/°C  
V
C
0.6  
V
Gate-to-Source Voltage  
±20  
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
400  
mJ  
A
AS  
I
-11.2  
7.5  
AR  
E
AR  
dv/dt  
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➀  
Operating Junction  
mJ  
V/ns  
-5.5  
T
-55 to 150  
J
T
Storage Temperature Range  
oC  
g
STG  
Lead Temperature  
Weight  
300(0.063in./1.6mm from case for 10 sec)  
4.3 (Typical)  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
4/18/01  
1234567

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与IRFY9130MEBPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFY9130MEDPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 100V, 0.36ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IRFY9140 INFINEON

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 		POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)
IRFY9140 SEME-LAB

获取价格

 		P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI-REL APPLICATIONS
IRFY9140C INFINEON

获取价格

 		POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)
IRFY9140C SEME-LAB

获取价格

 		P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI-REL APPLICATIONS
IRFY9140CM INFINEON

获取价格

 		POWER MOSFET P-CHANNEL(BVdss=-100V, Rds(on)=0.2ohm, Id=-15.8A)
IRFY9140CMPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 15.8A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IRFY9140CMSCV INFINEON

获取价格

 		-100V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-257AA package - Screening Level TXV
IRFY9140CMSCX INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 15.8A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M
IRFY9140CMSCXPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 15.8A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M

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