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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFY9130CSCX | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 100V, 0.31ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| IRFY9130M | SEME-LAB |
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P-Channel MOSFET in a Hermetically sealed |
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| IRFY9130MEAPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 100V, 0.36ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| IRFY9130MEB | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 100V, 0.36ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| IRFY9130MEBPBF | INFINEON |
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暂无描述 |
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| IRFY9130MEDPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 100V, 0.36ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| IRFY9140 | INFINEON |
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POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA) |
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| IRFY9140 | SEME-LAB |
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P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI-REL APPLICATIONS |
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| IRFY9140C | INFINEON |
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POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA) |
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| IRFY9140C | SEME-LAB |
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P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI-REL APPLICATIONS |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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