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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.67 |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 9.3 A | 最大漏源导通电阻： | 0.31 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-257AB |
| JESD-30 代码： | S-MSFM-P3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFY9130M | SEME-LAB |
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P-Channel MOSFET in a Hermetically sealed |
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| IRFY9130MEAPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 100V, 0.36ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| IRFY9130MEB | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 100V, 0.36ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| IRFY9130MEBPBF | INFINEON |
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暂无描述 |
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| IRFY9130MEDPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 100V, 0.36ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| IRFY9140 | INFINEON |
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POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA) |
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| IRFY9140 | SEME-LAB |
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P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI-REL APPLICATIONS |
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| IRFY9140C | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA) |
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| IRFY9140C | SEME-LAB |
获取价格 |
P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI-REL APPLICATIONS |
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| IRFY9140CM | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET P-CHANNEL(BVdss=-100V, Rds(on)=0.2ohm, Id=-15.8A) |
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