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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFY9130C
IRFY9130C PDF预览

IRFY9130C

更新时间： 2024-11-24 03:12:31
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
7页 164K
描述
POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)100V, P-CHANNEL HEXFET㈢ MOSFET TECHNOLOGY

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IRFY9130C 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.06
其他特性：HIGH RELIABILITY雪崩能效等级（Eas）：400 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (ID)：11.2 A
最大漏源导通电阻：0.3 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-257AAJESD-30 代码：S-XSFM-P3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：SQUARE
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：44 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：PIN/PEG
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFY9130C 数据手册

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PD - 91293B  
IRFY9130C,IRFY9130CM  
100V, P-CHANNEL  
POWER MOSFET  
THRU-HOLE (TO-257AA)  
HEXFET® MOSFET TECHNOLOGY  
Product Summary  
Part Number RDS(on)  
ID  
Eyelets  
IRFY9130C  
0.3 Ω  
0.3 Ω  
-11.2A Ceramic  
-11.2A Ceramic  
IRFY9130CM  
HEXFET® MOSFET technology is the key to International  
Rectifier’s advanced line of power MOSFET transistors. The  
efficient geometry design achieves very low on-state re-  
sistance combined with high transconductance. HEXFET  
transistors also feature all of the well-established advan-  
tages of MOSFETs, such as voltage control, very fast switch-  
ing, ease of paralleling and electrical parameter temperature  
stability. They are well-suited for applications such as switch-  
ing power supplies, motor controls, inverters, choppers,  
audio amplifiers, high energy pulse circuits, and virtually  
any application where high reliability is required. The  
HEXFET transistor’s totally isolated package eliminates the  
need for additional isolating material between the device  
and the heatsink. This improves thermal efficiency and  
reduces drain capacitance.  
TO-257AA  
Features:  
n
n
n
n
n
n
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Electrically Isolated  
Ceramic Eyelets  
Ideally Suited For Space Level  
Applications  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Units  
I
@ V  
= -10V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
-11.2  
-7.1  
D
GS  
C
A
I
D
@ V  
= -10V, T = 100°C Continuous Drain Current  
GS  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
-44  
DM  
@ T = 25°C  
P
D
75  
W
W/°C  
V
C
0.6  
V
Gate-to-Source Voltage  
±20  
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
400  
mJ  
A
AS  
I
-11.2  
7.5  
AR  
E
AR  
dv/dt  
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➀  
Operating Junction  
mJ  
V/ns  
-5.5  
T
-55 to 150  
J
T
Storage Temperature Range  
oC  
g
STG  
Lead Temperature  
Weight  
300(0.063in./1.6mm from case for 10 sec)  
4.3 (Typical)  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
4/18/01  
1234567

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与IRFY9130C相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFY9130CM INFINEON

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 		POWER MOSFET P-CHANNEL(BVdss=-100V, Rds(on)=0.3ohm, Id=-11.2A)
IRFY9130CMPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 11.2A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IRFY9130CMSCV INFINEON

获取价格

 		-100V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-257AA package - Screening Level TXV
IRFY9130CMSCX INFINEON

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 		-100V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-257AA package - Screening Level TX
IRFY9130CSCS INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 100V, 0.31ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IRFY9130CSCX INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 100V, 0.31ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IRFY9130M SEME-LAB

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 		P-Channel MOSFET in a Hermetically sealed
IRFY9130MEAPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 100V, 0.36ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IRFY9130MEB INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 100V, 0.36ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IRFY9130MEBPBF INFINEON

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 		暂无描述

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