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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.12 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5.3 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5.3 A | 最大漏源导通电阻： | 0.6 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-257AB |
| JESD-30 代码： | S-MSFM-P3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 30 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 21 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFY9130 | SEME-LAB |
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P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI-REL APPLICATIONS |
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| IRFY9130C | INFINEON |
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POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)100V, P-CHAN |
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| IRFY9130C | SEME-LAB |
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P-Channel MOSFET in a Hermetically sealed |
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| IRFY9130CM | INFINEON |
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POWER MOSFET P-CHANNEL(BVdss=-100V, Rds(on)=0.3ohm, Id=-11.2A) |
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| IRFY9130CMPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 11.2A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| IRFY9130CMSCV | INFINEON |
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-100V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-257AA package - Screening Level TXV |
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| IRFY9130CMSCX | INFINEON |
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-100V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-257AA package - Screening Level TX |
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| IRFY9130CSCS | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 100V, 0.31ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| IRFY9130CSCX | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 100V, 0.31ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| IRFY9130M | SEME-LAB |
获取价格 |
P-Channel MOSFET in a Hermetically sealed |
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