5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IRFU9020PBF
IRFU9020PBF PDF预览

IRFU9020PBF

更新时间： 2024-09-16 05:39:31
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
9页 1210K
描述
Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRFU9020PBF 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：TO-251包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.19
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：250 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：50 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：9.9 A
最大漏极电流 (ID)：9.9 A最大漏源导通电阻：0.28 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-251
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：42 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：40 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFU9020PBF 数据手册

 浏览型号IRFU9020PBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRFU9020PBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFU9020PBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFU9020PBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFU9020PBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRFU9020PBF的Datasheet PDF文件第7页 
IRFR9020, IRFU9020, SiHFR9020, SiHFU9020  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
• Surface Mountable (Order As IRFR9020/SiHFR9020)  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
- 50  
Available  
• Straight Lead Option (Order As IRFU9020/SiHFU9020)  
R
DS(on) (Ω)  
VGS = - 10 V  
0.28  
RoHS*  
• Repetitive Avalanche Ratings  
• Dynamic dV/dt Rating  
Qg (Max.) (nC)  
14  
6.5  
6.5  
COMPLIANT  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
• Simple Drive Requirements  
• Ease of Paralleling  
Configuration  
Single  
• Lead (Pb)-free Available  
S
DESCRIPTION  
DPAK  
IPAK  
The Power MOSFET technology is the key to Vishay’s  
advanced line of Power MOSFET transistors. The efficient  
geometry and unique processing of this latest “State of the  
Art” design achieves: very low on-state resistance combined  
with high transconductance; superior reverse energy and  
diode recovery dV/dt.  
(TO-252)  
(TO-251)  
G
The Power MOSFET transistors also feature all of the well  
established advantages of MOSFET’S such as voltage  
control, very fast switching, ease of paralleling and  
temperature stability of the electrical parameters.  
D
P-Channel MOSFET  
Surface mount packages enhance circuit performance by  
reducing stray inductances and capacitance. The TO-252  
surface mount package brings the advantages of Power  
MOSFET’s to high volume applications where PC Board  
surface mounting is desirable. The surface mount option  
IRFR9020/SiHFR9020 is provided on 16mm tape. The  
straight lead option IRFR9020/SiHFR9020 of the device is  
called the IPAK (TO-251).  
They are well suited for applications where limited heat  
dissipation is required such as, computers and peripherals,  
telecommunication equipment, DC/DC converters, and a  
wide range of consumer products.  
ORDERING INFORMATION  
Package  
DPAK (TO-252)  
IRFR9020PbF  
SiHFR9020-E3  
IRFR9020  
DPAK (TO-252)  
DPAK (TO-252)  
IRFR9020TRLPbFa  
SiHFR9020TL-E3a  
IRFR9020TRLa  
SiHFR9020TLa  
IPAK (TO-251)  
IRFU9020PbF  
SiHFU9020-E3  
IRFU9020  
IRFR9020TRPbFa  
SiHFR9020T-E3a  
IRFR9020TRa  
Lead (Pb)-free  
SnPb  
SiHFR9020  
SiHFR9020Ta  
SiHFU9020  
Note  
a. See device orientation.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 °C, unless otherwise noted  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
- 50  
20  
V
VGS  
T
C = 25 °C  
- 9.9  
- 6.3  
- 40  
0.33  
440  
- 9.9  
4.2  
Continuous Drain Current  
V
GS at - 10 V  
ID  
TC =100°C  
A
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
Linear Derating Factor  
W/°C  
mJ  
A
Single Pulse Avalanche Energyb  
Repetitive Avalanche Currenta  
Repetitive Avalanche Energya  
EAS  
IAR  
EAR  
mJ  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 90350  
S-Pending-Rev. A, 10-Jun-08  
www.vishay.com  
1
WORK-IN-PROGRESS  
1234567...9

中文翻译

下载PDF

与IRFU9020PBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFU9022 VISHAY

获取价格

 		Power MOSFET
IRFU9022 INFINEON

获取价格

 		REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS
IRFU9022 SAMSUNG

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 50V, 0.33ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
IRFU9022PBF VISHAY

获取价格

 		Power MOSFET
IRFU9024 VISHAY

获取价格

 		Power MOSFET
IRFU9024 INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.28ohm, Id=-8.8A)
IRFU9024 KERSEMI

获取价格

 		Power MOSFET
IRFU9024 SAMSUNG

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 9.9A I(D), 60V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRFU9024N INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.175ohm, Id=-11A)
IRFU9024N FREESCALE

获取价格

 		HEXFET® Power MOSFET

与IRFU9020PBF相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证