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IRFU9012

更新时间: 2024-09-16 19:50:11
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三星 - SAMSUNG 脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 33K
描述
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 50V, 0.7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IRFU9012 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.21
雪崩能效等级(Eas):240 mJ配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:50 V最大漏极电流 (Abs) (ID):4.5 A
最大漏极电流 (ID):4.5 A最大漏源导通电阻:0.7 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSIP-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:P-CHANNEL
功耗环境最大值:25 W最大功率耗散 (Abs):25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):18 A认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):79 ns最大开启时间(吨):80 ns
Base Number Matches:1

IRFU9012 数据手册

  

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