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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFU9020 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFU9020 | INFINEON |
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REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS |
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| IRFU9020 | KERSEMI |
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Power MOSFET |
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| IRFU9020PBF | KERSEMI |
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Power MOSFET |
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| IRFU9020PBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFU9022 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFU9022 | INFINEON |
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REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS |
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| IRFU9022 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 50V, 0.33ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| IRFU9022PBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFU9024 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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