是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-251AA | 包装说明: | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.19 |
其他特性: | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级(Eas): | 440 mJ |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 50 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 9.9 A | 最大漏极电流 (ID): | 9.9 A |
最大漏源导通电阻: | 0.28 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-251AA | JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 42 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 40 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IRFU9020PBF | VISHAY |
完全替代 |
Power MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFU9020PBF | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET | |
IRFU9020PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET | |
IRFU9022 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET | |
IRFU9022 | INFINEON |
获取价格 |
REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS | |
IRFU9022 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 50V, 0.33ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal | |
IRFU9022PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET | |
IRFU9024 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET | |
IRFU9024 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.28ohm, Id=-8.8A) | |
IRFU9024 | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET | |
IRFU9024 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9.9A I(D), 60V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |