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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | LEAD FREE, PLASTIC, IPAK-3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 7.01 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 29 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 55 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 30 A | 最大漏极电流 (ID)： | 30 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0245 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-251AA | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 48 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 120 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRFU4105Z | INFINEON |
类似代替  |
Power MOSFET(Vds=55V, Rds(on)=24.5mohm, Id=30A) |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFU410A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
|
| IRFU410ATU | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| IRFU410B | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
|
| IRFU410BTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| IRFU411 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 450V, 10ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRFU420 | INTERSIL |
获取价格 |
2.5A, 500V, 3.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
|
| IRFU420 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFU420 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| IRFU420 | KERSEMI |
获取价格 |
Dynamic dV/dt Rating |
|
| IRFU420 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.4A) |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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