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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.11 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY | 雪崩能效等级（Eas）： | 280 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 55 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 31 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 31 A | 最大漏源导通电阻： | 0.065 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252AA |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 110 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 110 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFR5305TR | UMW |
获取价格 |
种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-60V;持续漏极电流（Id）（在25°C |
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| IRFR5305TRL | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 55V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFR5305TRLPBF | INFINEON |
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Ultra Low On-Resistance |
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| IRFR5305TRPBF | KERSEMI |
获取价格 |
Ultra Low On-Resistance |
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| IRFR5305TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET® Power MOSFET |
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| IRFR5305TRR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 55V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFR5305TRRPBF | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
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| IRFR540Z | FREESCALE |
获取价格 |
HEXFET® Power MOSFET |
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| IRFR540Z | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
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| IRFR540ZPBF | INFINEON |
获取价格 |
Advanced Process Technology |
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