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IRFR5305TRRPBF

更新时间： 2024-11-24 13:08:47
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
10页 158K
描述
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IRFR5305TRRPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.11
其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY雪崩能效等级（Eas）：280 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：31 A
最大漏极电流 (ID)：31 A最大漏源导通电阻：0.065 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：110 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：110 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFR5305TRRPBF 数据手册

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PD - 91402A  
IRFR/U5305  
HEXFET® Power MOSFET  
l Ultra Low On-Resistance  
l Surface Mount (IRFR5305)  
l Straight Lead (IRFU5305)  
l Advanced Process Technology  
l FastSwitching  
D
VDSS = -55V  
RDS(on) = 0.065Ω  
ID = -31A  
G
l Fully Avalanche Rated  
S
Description  
FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilize  
advanced processing techniques to achieve extremely low  
on-resistance per silicon area. This benefit, combined with  
the fast switching speed and ruggedized device design that  
HEXFET® Power MOSFETs are well known for, provides  
the designer with an extremely efficient and reliable device  
for use in a wide variety of applications.  
The D-Pak is designed for surface mounting using vapor  
phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight  
lead version (IRFU series) is for through-hole mounting  
applications. Power dissipation levels up to 1.5 watts are  
possible in typical surface mount applications.  
D-Pak  
IRFR5305  
I-Pak  
IRFU5305  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ -10V  
Continuous Drain Current, VGS @ -10V  
Pulsed Drain Current†  
-31  
-22  
A
-110  
110  
0.71  
± 20  
280  
-16  
PD @TC = 25°C  
PowerDissipation  
W
W/°C  
V
LinearDeratingFactor  
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-SourceVoltage  
Single Pulse Avalanche Energy‚†  
AvalancheCurrent†  
mJ  
A
EAR  
dv/dt  
TJ  
RepetitiveAvalancheEnergy  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ†  
OperatingJunctionand  
11  
mJ  
V/ns  
-5.0  
-55 to + 175  
TSTG  
StorageTemperatureRange  
SolderingTemperature,for10seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 srew  
°C  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
ThermalResistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
1.4  
50  
Units  
RθJC  
RθJA  
RθJA  
Junction-to-Ambient(PCBmount)*  
Junction-to-Ambient**  
–––  
°C/W  
–––  
110  
10/23/00  
1234567...10

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IRFR5305TRRPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFR5305TRR INFINEON

完全替代

 Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 55V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRFR5305TRPBF INFINEON

类似代替

 HEXFET® Power MOSFET
IRFR5305PBF INFINEON

类似代替

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 		暂无描述
IRFR540ZTRLPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.0285ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IRFR540ZTRPBF INFINEON

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