5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IRFR5305TRL
IRFR5305TRL PDF预览

IRFR5305TRL

更新时间： 2024-02-20 08:39:39
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 162K
描述
Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 55V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK-3

阅读下载

获取价格

IRFR5305TRL 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252AA包装说明：DPAK-3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.08其他特性：HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）：280 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (ID)：31 A最大漏源导通电阻：0.065 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：245
极性/信道类型：P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：110 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFR5305TRL 数据手册

 浏览型号IRFR5305TRL的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRFR5305TRL的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFR5305TRL的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFR5305TRL的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFR5305TRL的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRFR5305TRL的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 91402A  
IRFR/U5305  
HEXFET® Power MOSFET  
l Ultra Low On-Resistance  
l Surface Mount (IRFR5305)  
l Straight Lead (IRFU5305)  
l Advanced Process Technology  
l FastSwitching  
D
VDSS = -55V  
RDS(on) = 0.065Ω  
ID = -31A  
G
l Fully Avalanche Rated  
S
Description  
FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilize  
advanced processing techniques to achieve extremely low  
on-resistance per silicon area. This benefit, combined with  
the fast switching speed and ruggedized device design that  
HEXFET® Power MOSFETs are well known for, provides  
the designer with an extremely efficient and reliable device  
for use in a wide variety of applications.  
The D-Pak is designed for surface mounting using vapor  
phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight  
lead version (IRFU series) is for through-hole mounting  
applications. Power dissipation levels up to 1.5 watts are  
possible in typical surface mount applications.  
D-Pak  
IRFR5305  
I-Pak  
IRFU5305  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ -10V  
Continuous Drain Current, VGS @ -10V  
Pulsed Drain Current†  
-31  
-22  
A
-110  
110  
0.71  
± 20  
280  
-16  
PD @TC = 25°C  
PowerDissipation  
W
W/°C  
V
LinearDeratingFactor  
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-SourceVoltage  
Single Pulse Avalanche Energy‚†  
AvalancheCurrent†  
mJ  
A
EAR  
dv/dt  
TJ  
RepetitiveAvalancheEnergy  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ†  
OperatingJunctionand  
11  
mJ  
V/ns  
-5.0  
-55 to + 175  
TSTG  
StorageTemperatureRange  
SolderingTemperature,for10seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 srew  
°C  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
ThermalResistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
1.4  
50  
Units  
RθJC  
RθJA  
RθJA  
Junction-to-Ambient(PCBmount)*  
Junction-to-Ambient**  
–––  
°C/W  
–––  
110  
10/23/00  
1234567...10

下载PDF

与IRFR5305TRL相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
IRFR5305TRLPBF INFINEON Ultra Low On-Resistance

获取价格
IRFR5305TRPBF KERSEMI Ultra Low On-Resistance

获取价格
IRFR5305TRPBF INFINEON HEXFET® Power MOSFET

获取价格
IRFR5305TRR INFINEON Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 55V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met

获取价格
IRFR5305TRRPBF INFINEON 暂无描述

获取价格
IRFR540Z FREESCALE HEXFET® Power MOSFET

获取价格

与IRFR5305TRL相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证