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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFR5305TRLPBF
IRFR5305TRLPBF PDF预览

IRFR5305TRLPBF

更新时间： 2024-11-24 12:56:31
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
11页 249K
描述
Ultra Low On-Resistance

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IRFR5305TRLPBF 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：0.63
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）：280 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：31 A最大漏极电流 (ID)：31 A
最大漏源导通电阻：0.065 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：110 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：110 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFR5305TRLPBF 数据手册

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PD-95025A  
IRFR5305PbF  
IRFU5305PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
l Ultra Low On-Resistance  
l Surface Mount (IRFR5305)  
l Straight Lead (IRFU5305)  
l Advanced Process Technology  
l FastSwitching  
D
VDSS = -55V  
RDS(on) = 0.065Ω  
l Fully Avalanche Rated  
l Lead-Free  
G
ID = -31A  
S
Description  
FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilize  
advanced processing techniques to achieve extremely low  
on-resistance per silicon area. This benefit, combined with  
the fast switching speed and ruggedized device design that  
HEXFET® Power MOSFETs are well known for, provides  
the designer with an extremely efficient and reliable device  
for use in a wide variety of applications.  
The D-Pak is designed for surface mounting using vapor  
phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight  
lead version (IRFU series) is for through-hole mounting  
applications. Power dissipation levels up to 1.5 watts are  
possible in typical surface mount applications.  
D-Pak  
IRFR5305  
I-Pak  
IRFU5305  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ -10V  
Continuous Drain Current, VGS @ -10V  
Pulsed Drain Current†  
-31  
-22  
A
-110  
110  
0.71  
± 20  
280  
-16  
PD @TC = 25°C  
PowerDissipation  
W
W/°C  
V
LinearDeratingFactor  
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-SourceVoltage  
Single Pulse Avalanche Energy‚†  
AvalancheCurrent†  
mJ  
A
EAR  
dv/dt  
TJ  
RepetitiveAvalancheEnergy  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ†  
OperatingJunctionand  
11  
mJ  
V/ns  
-5.0  
-55 to + 175  
TSTG  
StorageTemperatureRange  
SolderingTemperature,for10seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 srew  
°C  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
ThermalResistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
1.4  
50  
Units  
RθJC  
RθJA  
RθJA  
Junction-to-Ambient(PCBmount)*  
Junction-to-Ambient**  
–––  
°C/W  
–––  
110  
www.irf.com  
1
12/13/04  
1234567...11

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IRFR5305TRLPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFR5305TRL INFINEON

完全替代

 Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 55V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRFR5305TRPBF INFINEON

类似代替

 HEXFET® Power MOSFET
IRFR5305PBF INFINEON

类似代替

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 		暂无描述
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 		暂无描述
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 		Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.0285ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M

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