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IRFR3410

更新时间： 2024-09-12 22:40:59
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
10页 140K
描述
Power MOSFET

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IRFR3410 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：DPAK-3/2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.75
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：140 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：31 A
最大漏极电流 (ID)：30 A最大漏源导通电阻：0.039 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：110 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：125 A子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFR3410 数据手册

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PD - 94505  
IRFR3410  
IRFU3410  
HEXFET® Power MOSFET  
Applications  
l High frequency DC-DC converters  
VDSS  
100V  
RDS(on) max  
ID  
31A  
†
39mΩ  
Benefits  
l Low Gate-to-Drain Charge to Reduce  
Switching Losses  
l Fully Characterized Capacitance Including  
Effective COSS to Simplify Design, (See  
App. Note AN1001)  
l Fully Characterized Avalanche Voltage  
and Current  
D-Pak  
IRFR3410  
I-Pak  
IRFU3410  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Max.  
Units  
VDS  
Drain-Source Voltage  
100  
V
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
± 20  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
31†  
22  
A
125  
PD @TC = 25°C  
PD @TA = 25°C  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
110  
W
3.0  
0.71  
mW°C  
V/ns  
°C  
dv/dt  
TJ  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Operating Junction and  
15  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
300 (1.6mm from case )  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
Max.  
Units  
RθJC  
RθJA  
RθJA  
Junction-to-Case  
–––  
–––  
–––  
1.4  
Junction-to-Ambient (PCB mount)*  
Junction-to-Ambient  
40  
°C/W  
110  
Notes  through †are on page 10  
www.irf.com  
1
9/23/02  
1234567...10

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