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IRFP448 PDF预览

IRFP448

更新时间： 2024-11-05 05:39:31
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 1661K
描述
Power MOSFET

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IRFP448 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-247AC
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.19Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：550 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：11 A最大漏极电流 (ID)：11 A
最大漏源导通电阻：0.6 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-247ACJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：180 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：44 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFP448 数据手册

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IRFP448, SiHFP448  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
• Dynamic dV/dt Rating  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
500  
Available  
• Repetitive Avalanche Rated  
• Isolated Central Mounting Hole  
• Fast Switching  
RDS(on) (Ω)  
VGS = 10 V  
0.60  
RoHS*  
COMPLIANT  
Qg (Max.) (nC)  
84  
8.4  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
• Ease of Paralleling  
50  
• Simple Drive Requirements  
• Lead (Pb)-free Available  
Configuration  
Single  
D
DESCRIPTION  
TO-247  
Third Generation Power MOSFETs from Vishay provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and  
cost-effectiveness.  
G
The TO-247 package is preferred for commercial-industrial  
applications where higher power levels preclude the use of  
TO-220 devices. The TO-247 is similar but superior to the  
earlier TO-218 package because of its isolated mounting  
hole. It also provides greater creepage distance between  
pins to meet the requirements of most safety specifications.  
S
D
S
N-Channel MOSFET  
G
ORDERING INFORMATION  
Package  
TO-247  
IRFP448PbF  
SiHFP448-E3  
IRFP448  
Lead (Pb)-free  
SnPb  
SiHFP448  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 °C, unless otherwise noted  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
500  
V
VGS  
20  
T
C = 25 °C  
11  
Continuous Drain Current  
V
GS at 10 V  
ID  
TC =100°C  
6.6  
A
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
44  
Linear Derating Factor  
1.4  
W/°C  
mJ  
A
Single Pulse Avalanche Energyb  
Repetitive Avalanche Currenta  
Repetitive Avalanche Energya  
EAS  
IAR  
550  
11  
EAR  
18  
180  
mJ  
W
Maximum Power Dissipation  
T
C = 25 °C  
PD  
Peak Diode Recovery dV/dtc  
dV/dt  
TJ, Tstg  
3.5  
V/ns  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
- 55 to + 150  
300d  
°C  
for 10 s  
6-32 or M3 screw  
10  
lbf · in  
N · m  
Mounting Torque  
1.1  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. VDD = 50 V, starting TJ = 25 °C, L = 8.2 mH, RG = 25 Ω, IAS = 11 A (see fig. 12).  
c. ISD ≤ 11 A, dI/dt ≤ 120 A/µs, VDD ≤ VDS, TJ ≤ 150 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 91229  
S-Pending-Rev. A, 26-Jun-08  
www.vishay.com  
1
WORK-IN-PROGRESS  
12345678

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IRFP448 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFP448PBF VISHAY

完全替代

 Power MOSFET
2SK386 TOSHIBA

功能相似

 TRANSISTOR 10 A, 450 V, 0.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power

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