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IRFP450

更新时间： 2024-09-30 22:51:39

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2页	49K
描述
Standard Power MOSFET - N-Channel Enhancement Mode

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IRFP450 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.15	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	14 A	最大漏极电流 (ID)：	14 A
最大漏源导通电阻：	0.4 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	190 W
最大功率耗散 (Abs)：	180 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	56 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFP450 数据手册

IRFP 450 V_DSS= 500 V

I_D(cont)= 14 A

Standard Power MOSFET

R_DS(on)= 0.40 Ω

N-ChannelEnhancementMode

Symbol

Test Conditions

MaximumRatings

TO-247 AD

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

500

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

D(TAB)

V_GSM

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

G = Gate,

S = Source,

D = Drain,

TAB = Drain

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

E_AR

T_C= 25°C

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

3.5

V/ns

P_D

T_C= 25°C

190

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Features

M_d

Mountingtorque

1.13/10 Nm/lb.in.

Internationalstandardpackages

Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

Rugged polysilicon gate cell structure

Low package inductance (< 5 nH)

- easy to drive and to protect

Fast switching times

Weight

Maximumleadtemperatureforsoldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

Symbol

Test Conditions

CharacteristicValues

Applications

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Switch-modeandresonant-mode

powersupplies

min. typ. max.

Motorcontrols

UninterruptiblePowerSupplies(UPS)

DC choppers

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 250 µA

500

V_GS(th)

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100 nA

Advantages

V_DS= 0.8 • V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

25 µA

250 µA

Easy to mount with 1 screw

(isolated mounting screw hole)

Space savings

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 8.4 A

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

0.40

Ω

Highpowerdensity

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

92604E(5/96)

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IRFP450 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFP450APBF	VISHAY	功能相似	Power MOSFET
IRFP450PBF	VISHAY	功能相似	Power MOSFET
STW14NK50Z	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-CHANNEL 500V-0.34ohm-14ATO-220/FP/D2PAK/I2P

与IRFP450相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFP450A	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.40ohm, Id=14A)
IRFP450A	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFP450APBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFP450APBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢Power MOSFET
IRFP450B	FAIRCHILD	获取价格	500V N-Channel MOSFET
IRFP450CF	NJSEMI	获取价格	Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
IRFP450FI	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 9A I(D) \| TO-218VAR
IRFP450LC	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFP450LC	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.40ohm, Id=14A)
IRFP450LCPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET

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