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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 1页 | 59K |  |
| 描述 | ||
| 12A, 500V, 0.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-218 | ||
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.37 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH VOLTAGE, FAST SWITCHING | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 12 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 12 A | 最大漏源导通电阻： | 0.5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-218 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 180 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 48 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFP452R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-247 |
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| IRFP453 | SAMSUNG |
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N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRFP453 | NJSEMI |
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Trans MOSFET 450V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-3P |
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| IRFP453FI | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-218VAR |
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| IRFP453PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 450V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFP453R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-247 |
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| IRFP4568 | INFINEON |
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The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim |
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| IRFP4568 | ISC |
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N-Channel MOSFET Transistor |
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| IRFP4568BPF | INFINEON |
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NMOS VDSS150V RDS4.8MΩ ID171A |
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| IRFP4568PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFETPower MOSFET |
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