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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-3P | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.37 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 12 A | 最大漏极电流 (ID)： | 12 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 180 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2SK386 | TOSHIBA |
功能相似  |
TRANSISTOR 10 A, 450 V, 0.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
|
| 2SK1016-01 | FUJI |
功能相似 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFP452R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-247 |
|
| IRFP453 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
|
| IRFP453 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET 450V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-3P |
|
| IRFP453FI | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-218VAR |
|
| IRFP453PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 450V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRFP453R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-247 |
|
| IRFP4568 | INFINEON |
获取价格 |
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim |
|
| IRFP4568 | ISC |
获取价格 |
N-Channel MOSFET Transistor |
|
| IRFP4568BPF | INFINEON |
获取价格 |
NMOS VDSS150V RDS4.8MΩ ID171A |
|
| IRFP4568PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFETPower MOSFET |
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