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IRFP450LC

更新时间： 2024-11-24 05:39:31
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威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管开关局域网
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8页 1546K
描述
Power MOSFET

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IRFP450LC 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.12
Is Samacsys：N外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：14 A最大漏极电流 (ID)：16 A
最大漏源导通电阻：0.4 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-247ACJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：190 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFP450LC 数据手册

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IRFP450LC, SiHFP450LC  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
• Ultra Low Gate Charge  
• Reduced Gate Drive Requirement  
• Enhanced 30 V VGS Rating  
• Reduced Ciss, Coss, Crss  
• Isolated Central Mounting Hole  
• Dynamic dV/dt Rated  
VDS (V)  
500  
Available  
R
DS(on) (Ω)  
VGS = 10 V  
0.40  
RoHS*  
Qg (Max.) (nC)  
74  
19  
COMPLIANT  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
35  
Configuration  
Single  
• Repetitive Avalanche Rated  
• Lead (Pb)-free Available  
D
DESCRIPTION  
TO-247  
This new series of low charge Power MOSFETs achieve  
significantly lower gate charge over conventional MOSFETs.  
Utilizing advanced Power MOSFET technology the device  
improvements allow for reduced gate drive requirements,  
faster switching speeds and increased total system savings.  
These device improvements combined with the proven  
ruggedness and reliability of Power MOSFETs offer the  
designer a new standard in power transistors for switching  
applications.  
G
S
D
G
S
N-Channel MOSFET  
The TO-247 package is preferred for commercial-industrial  
applications where higher power levels preclude the use of  
TO-220 devices. The TO-247 is similar but superior to the  
earlier TO-218 package because of its isolated mounting  
hole.  
ORDERING INFORMATION  
Package  
TO-247  
IRFP450LCPbF  
SiHFP450LC-E3  
IRFP450LC  
Lead (Pb)-free  
SnPb  
SiHFP450LC  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 °C, unless otherwise noted  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
500  
V
VGS  
30  
TC = 25 °C  
TC =100°C  
14  
Continuous Drain Current  
V
GS at 10 V  
ID  
8.6  
A
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
56  
Linear Derating Factor  
1.5  
W/°C  
mJ  
A
Single Pulse Avalanche Energyb  
Repetitive Avalanche Currenta  
Repetitive Avalanche Energya  
EAS  
IAR  
760  
14  
EAR  
19  
190  
mJ  
W
Maximum Power Dissipation  
TC = 25 °C  
PD  
Peak Diode Recovery dV/dtc  
dV/dt  
TJ, Tstg  
3.5  
V/ns  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
- 55 to + 150  
300d  
°C  
for 10 s  
10  
lbf · in  
N · m  
Mounting Torque  
6-32 or M3 screw  
1.1  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. VDD = 25 V, starting TJ = 25 °C, L = 7.0 mH, RG = 25 Ω, IAS = 14 A (see fig. 12).  
c. ISD ≤ 14 A, dI/dt ≤ 130 A/µs, VDD ≤ VDS, TJ ≤ 150 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 91231  
S-81271-Rev. A, 16-Jun-08  
www.vishay.com  
1
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IRFP450LC 替代型号

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IRFP450LCPBF VISHAY

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