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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.2 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 450 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 14 A | 最大漏源导通电阻： | 0.4 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-247 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 56 A |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFP451CF | NSC |
获取价格 |
IRFP451CF |
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| IRFP451FI | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET 450V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-3P |
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| IRFP451R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-247 |
|
| IRFP452 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRFP452 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
12A, 500V, 0.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-218 |
|
| IRFP452 | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,500V V(BR)DSS,12A I(D),TO-247 |
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| IRFP452R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-247 |
|
| IRFP453 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
|
| IRFP453 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET 450V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-3P |
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| IRFP453FI | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-218VAR |
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