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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-3P |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.2 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 450 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 14 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 13 A | 最大漏源导通电阻： | 0.4 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 180 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| FAP-450 | FUJI |
功能相似  |
N-channel MOS-FET(500V, 0,38ヘ, 14A, 190W) |
|
| 2SK2257-01 | FUJI |
功能相似 |
N-channel MOS-FET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFP451CF | NSC |
获取价格 |
IRFP451CF |
|
| IRFP451FI | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET 450V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-3P |
|
| IRFP451R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-247 |
|
| IRFP452 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
|
| IRFP452 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
12A, 500V, 0.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-218 |
|
| IRFP452 | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,500V V(BR)DSS,12A I(D),TO-247 |
|
| IRFP452R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-247 |
|
| IRFP453 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
|
| IRFP453 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET 450V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-3P |
|
| IRFP453FI | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-218VAR |
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