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IRFP450B

更新时间： 2024-11-23 22:51:39
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
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8页 709K
描述
500V N-Channel MOSFET

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IRFP450B 数据手册

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November 2001  
IRFP450B  
500V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switch mode power supplies,  
power factor correction and electronic lamp ballasts based  
on half bridge.  
•
•
•
•
•
•
14A, 500V, R  
= 0.39Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 87 nC)  
Low Crss ( typical 60 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
!
●
◀
▲
●
●
G!  
!
S
TO-3P  
IRFP Series  
G D S  
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
IRFP450B  
500  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
14  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
8.8  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
56  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 30  
990  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
14  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
20.5  
5.5  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
205  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
1.64  
-55 to +150  
W/°C  
°C  
T , T  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Case-to-Sink  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Typ  
--  
Max  
0.61  
--  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
θJC  
θCS  
θJA  
0.24  
--  
40  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B, November 2001  
12345678

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IRFP450B 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STP55NF06 STMICROELECTRONICS

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 N-CHANNEL 60V - 0.015 ohm - 50A TO-220/TO-220
STW20NK50Z STMICROELECTRONICS

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFP450CF NJSEMI

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IRFP450FI ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-218VAR
IRFP450LC VISHAY

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 		Power MOSFET
IRFP450LC INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.40ohm, Id=14A)
IRFP450LCPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRFP450LCPBF VISHAY

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 		Power MOSFET
IRFP450N VISHAY

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 		Power MOSFET
IRFP450N INFINEON

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 		Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.37ohm, Id=14A)
IRFP450NPBF VISHAY

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 		Power MOSFET
IRFP450NPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET㈢Power MOSFET

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