IRFP450NPBF

更新时间： 2024-02-17 18:17:51

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Power MOSFET

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IRFP450NPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-247AC	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.29	雪崩能效等级（Eas）：	170 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	14 A
最大漏极电流 (ID)：	14 A	最大漏源导通电阻：	0.37 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247AC
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	200 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	56 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

IRFP450NPBF 数据手册

IRFP450N, SiHFP450N

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Low Gate Charge Q_gResults in Simple Drive

Requirement

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

500

RoHS

R_DS(on)(Max.) (Ω)

Q_g(Max.) (nC)

V_GS= 10 V

0.37

• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

COMPLIANT

• Fully

Characterized

Capacitance

and

_gs(nC)

_gd(nC)

Avalanche Voltage and Current

• Effective C_ossSpecified

• Lead (Pb)-free

Configuration

Single

APPLICATIONS

TO-247

• Switch Mode Power Supply (SMPS)

• Uninterruptible Power Supply

• High Speed Power Switching

TYPICAL SMPS TOPOLOGIES

• Two Transistor Forward

• Half Bridge and Full Bridge

• PFC Boost

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

TO-247

IRFP450NPbF

SiHFP450N-E3

IRFP450N

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFP450N

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

500

V_GS

_C= 25 °C

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

T_C=100°C

8.8

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

1.6

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

170

E_AR

200

Maximum Power Dissipation

_C= 25 °C

P_D

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

5.0

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

6-32 or M3 screw

lbf · in

N · m

Mounting Torque

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. Starting T_J= 25 °C, L = 1.7 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 14 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 14 A, dI/dt ≤ 510 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

Document Number: 91232

S-Pending-Rev. b, 26-Jun-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFP450PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET POWER MOSFET
IRFP450PBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFP450R	NJSEMI	获取价格	Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
IRFP451	SAMSUNG	获取价格	N-CHANNEL POWER MOSFETS
IRFP451	STMICROELECTRONICS	获取价格	14A, 450V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-218
IRFP451	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,450V V(BR)DSS,14A I(D),TO-247
IRFP451	ROCHESTER	获取价格	14A, 450V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
IRFP451CF	NSC	获取价格	IRFP451CF
IRFP451FI	NJSEMI	获取价格	Trans MOSFET 450V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
IRFP451R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 14A I(D) \| TO-247

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