IRFP450APBF

更新时间： 2024-11-24 05:39:31

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲 PC 局域网
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Power MOSFET

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IRFP450APBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-247	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	6.93	Samacsys Confidence：	3
Samacsys Status：	Released	Samacsys PartID：	186814
Samacsys Pin Count：	3	Samacsys Part Category：	MOSFET (N-Channel)
Samacsys Package Category：	Transistor Outline, Vertical	Samacsys Footprint Name：	IRFP450APBF-1
Samacsys Released Date：	2017-10-27 18:56:42	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	760 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (ID)：	14 A
最大漏源导通电阻：	0.4 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	56 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFP450APBF 数据手册

IRFP450A, SiHFP450A

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Low Gate Charge Q_gResults in Simple Drive

Requirement

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

500

Available

_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

0.40

• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

RoHS*

Q_g(Max.) (nC)

COMPLIANT

_gs(nC)

_gd(nC)

• Fully

Characterized

Capacitance

and

Avalanche Voltage and Current

Configuration

Single

• Effective C_ossSpecified

• Lead (Pb)-free Available

TO-247

APPLICATIONS

• Switch Mode Power Supply (SMPS)

• Uninterruptable Power Supply

• High Speed Power Switching

TYPICAL SMPS TOPOLOGIES

• Two Transistor Forward

• Half Bridge, Full Bridge

• PFC Boost

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

TO-247

IRFP450APbF

SiHFP450A-E3

IRFP450A

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFP450A

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

500

V_GS

_C= 25 °C

Continuous Drain Current

_GSat 10 V

I_D

T_C= 100 °C

8.7

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

1.5

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

760

E_AR

190

Maximum Power Dissipation

T_C= 25 °C

P_D

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

4.1

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

lbf · in

N · m

Mounting Torque

6-32 or M3 screw

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. Starting T_J= 25 °C, L = 7.8 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 14 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 14 A, dI/dt ≤ 130 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91230

S-81271-Rev. A, 16-Jun-08

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFP450B	FAIRCHILD	获取价格	500V N-Channel MOSFET
IRFP450CF	NJSEMI	获取价格	Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
IRFP450FI	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 9A I(D) \| TO-218VAR
IRFP450LC	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFP450LC	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.40ohm, Id=14A)
IRFP450LCPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFP450LCPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFP450N	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFP450N	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.37ohm, Id=14A)
IRFP450NPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET

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