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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 12 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 180 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFP452R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-247 |
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| IRFP453 | SAMSUNG |
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N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRFP453 | NJSEMI |
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Trans MOSFET 450V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-3P |
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| IRFP453FI | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-218VAR |
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| IRFP453PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 450V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFP453R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-247 |
|
| IRFP4568 | INFINEON |
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The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim |
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| IRFP4568 | ISC |
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N-Channel MOSFET Transistor |
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| IRFP4568BPF | INFINEON |
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NMOS VDSS150V RDS4.8MΩ ID171A |
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| IRFP4568PBF | INFINEON |
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HEXFETPower MOSFET |
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