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IRFP450PBF

更新时间： 2024-01-10 12:35:34
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
8页 1542K
描述
Power MOSFET

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IRFP450PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：TO-247包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：3.39Samacsys Description：MOSFET N-CH 500V HEXFET MOSFET
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：760 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (ID)：14 A最大漏源导通电阻：0.4 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-247
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：56 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFP450PBF 数据手册

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IRFP450, SiHFP450  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
• Dynamic dV/dt Rating  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
500  
• Repetitive Avalanche Rated  
• Isolated Central Mounting Hole  
• Fast Switching  
Available  
R
DS(on) (Ω)  
VGS = 10 V  
0.40  
RoHS*  
Qg (Max.) (nC)  
150  
20  
COMPLIANT  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
• Ease of Paralleling  
80  
• Simple Drive Requirements  
• Lead (Pb)-free Available  
Configuration  
Single  
D
TO-247  
DESCRIPTION  
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and  
cost-effectiveness.  
G
The TO-247 package is preferred for commercial-industrial  
applications where higher power levels preclude the use of  
TO-220 devices. The TO-247 is similar but superior to the  
earlier TO-218 package because its isolated mounting hole.  
It also provides greater creepage distances between pins to  
meet the requirements of most safety specifications.  
S
D
S
N-Channel MOSFET  
G
ORDERING INFORMATION  
Package  
TO-247  
IRFP450PbF  
SiHFP450-E3  
IRFP450  
Lead (Pb)-free  
SnPb  
SiHFP450  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 °C, unless otherwise noted  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
500  
V
VGS  
20  
T
C = 25 °C  
14  
8.7  
Continuous Drain Current  
VGS at 10 V  
ID  
A
TC =100°C  
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
56  
Linear Derating Factor  
1.5  
W/°C  
mJ  
A
Single Pulse Avalanche Energyb  
Repetitive Avalanche Currenta  
Repetitive Avalanche Energya  
EAS  
IAR  
760  
8.7  
EAR  
19  
mJ  
W
Maximum Power Dissipation  
T
C = 25 °C  
PD  
190  
Peak Diode Recovery dV/dtc  
dV/dt  
TJ, Tstg  
3.5  
V/ns  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
- 55 to + 150  
300d  
10  
°C  
for 10 s  
6-32 or M3 screw  
lbf · in  
N · m  
Mounting Torque  
1.1  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. VDD = 50 V, starting TJ = 25 °C, L = 7.0 mH, RG = 25 Ω, IAS = 14 A (see fig. 12).  
c. ISD ≤ 14 A, dI/dt ≤ 130 A/µs, VDD ≤ VDS, TJ ≤ 150 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 91233  
S-81271-Rev. A, 16-Jun-08  
www.vishay.com  
1
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IRFP450PBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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 		TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,450V V(BR)DSS,14A I(D),TO-247
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 		N-CHANNEL POWER MOSFETS
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