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意法半导体 - STMICROELECTRONICS | ![]() |
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页数 | 文件大小 | 规格书 |
1页 | 59K | ![]() |
描述 | ||
14A, 450V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-218 |
是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | Reach Compliance Code: | not_compliant |
风险等级: | 5.2 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | HIGH VOLTAGE, FAST SWITCHING | 雪崩能效等级(Eas): | 760 mJ |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 450 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 14 A | 最大漏极电流 (ID): | 14 A |
最大漏源导通电阻: | 0.4 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss): | 200 pF | JEDEC-95代码: | TO-218 |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 功耗环境最大值: | 180 W |
最大功率耗散 (Abs): | 180 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 56 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 最大关闭时间(toff): | 210 ns |
最大开启时间(吨): | 150 ns | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFP451CF | NSC |
获取价格 |
IRFP451CF |
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IRFP451FI | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET 450V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-3P |
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IRFP451R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-247 |
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IRFP452 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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IRFP452 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
12A, 500V, 0.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-218 |
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IRFP452 | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,500V V(BR)DSS,12A I(D),TO-247 |
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IRFP452R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-247 |
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IRFP453 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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IRFP453 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET 450V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-3P |
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IRFP453FI | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-218VAR |
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