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IRFP451

更新时间: 2024-01-23 20:29:41
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
1页 59K
描述
14A, 450V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-218

IRFP451 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:not_compliant
风险等级:5.2Is Samacsys:N
其他特性:HIGH VOLTAGE, FAST SWITCHING雪崩能效等级(Eas):760 mJ
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:450 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):14 A最大漏极电流 (ID):14 A
最大漏源导通电阻:0.4 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):200 pFJEDEC-95代码:TO-218
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:180 W
最大功率耗散 (Abs):180 W最大脉冲漏极电流 (IDM):56 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON最大关闭时间(toff):210 ns
最大开启时间(吨):150 nsBase Number Matches:1

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